基于氮化镓的图腾柱PFC系统建模与应用效能研究.docx

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今能源问题日益突出的背景下，高效电源技术成为了电力电子领域的研究热点。随着各类电子设备的广泛应用，对电源的性能要求也越来越高，其中功率因数校正（PFC）技术和新型半导体器件的应用成为了提高电源效率和性能的关键。

氮化镓（GaN）作为第三代宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、电子迁移率高、击穿电场强度高、热导率较高等优异的物理特性。与传统的硅基半导体器件相比，GaN器件能够在更高的频率、更高的电压和更高的温度下工作，并且具有更低的导通电阻和开关损耗。这些优势使得GaN器件在电力电子领域展现出巨大的应用潜力，能够有效提高电源的功率密度和转换效率，推动电源向