传感器技术 课件 第9章 光电式传感器.pptx

第9章光电式传感器

光电式传感器是将光通量转换为电量的一种传感器。

光电式传感器的基础是光电转换元件的光电效应。

特点：

光电传感器一般情况下，非接触测量、高精度、高分

辨率、高可靠性、反应快。

9.1光电效应

由光的粒子学说可知，光可以认为是由具有一定能量的粒子所组成，而每个光子所具有的能量E与其频率大小成正比。光照射在物体上就可看成是一连串的具有能量为E的粒子轰击在物体上。

光电效应：由于物体吸收了能量为E的光后产生的电效应。

光电传感器的工作原理基于光电效应。光电效应分为外光电效应和内光电效应两大类。

1、外光电效应

在光线的作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应。向外发射的电子叫做光电子。

基于外光电效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。

爱因斯坦光电效应方程：

式中：

h—普朗克常数，6.626×10-34J.s;f—入射光频率；m—电子质量；v—电子逸出速度；A—物体的逸出功。

光电效应方程表明：

①光电子能否产生，取决于光电子的能量是否大于该物体

的表面电子逸出功A₀。

不同的物质具有不同的逸出功，即每一个物体都有一个对应

的光频阈值，称为红限频率或波长限。

②当入射光的频谱成分不变时，产生的光电流与光强成正比。

③光电子逸出物体表面具有初始动能mv。²/2,因此外光电效应器件(如光电管)即使没有加阳极电压，也会有光电子产生。为了使光电流为零，必须加负的截止电压，而且截止电压与入射光的频率成正比。

2、内光电效应

当光照射在物体上，使物体的电阻率p发生变化，或产生光生电动势的现象叫做内光电效应，它多发生于半导体内。根据工作原理的不同，内光电效应分为光电导效应和光生伏特效

应两类：

(1)光电导效应

在光线作用，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，而引起材料电导率的变化，这种现象被称为光电导效应。

基于这种效应的光电器件有光敏电阻。

过程：

当光照射到半导体材料上时，价带中的电子受到能量大于或等于禁带宽度的光子轰击，并使其由价带越过禁带跃入导带，如图，使材料中导带内的电子和价带内的空穴浓度增加，从而

使电导率变大。

自由电子所占能带

不存在电子所占能带

价电子所占能带

导带

禁带

价带

E8

(2)光生伏特效应

在光线作用下能够使物体产生一定方向的电动势的现象叫做光生伏特效应。

基于该效应的光电器件有光电池和光敏二极管、三极管。

①势垒效应(结光电效应)

接触的半导体和PN结中，当光线照射其接触区域时，便引起光电动势，这就是结光电效应。以PN结为例，光线照射PN结时，设光子能量大于禁带宽度E,使价带中的电子跃迁到导带，而产生电子空穴对，在阻挡层内电场的作用下，被光激发的电子移向N区外侧，被光激发的空穴移向P区外侧，从而使P区带正电，N区带负电，形成光电动势。

②侧向光电效应

当半导体光电器件受光照不均匀时，有载流子浓度梯度将会产生侧向光电效应。

当光照部分吸收入射光子的能量产生电子空穴对时，光照部分载流子浓度比未受光照部分的载流子浓度大，就出现了载流子浓度梯度，因而载流子就要扩散。如果电子迁移率比空穴大，那么空穴的扩散不明显，则电子向未被光照部分扩散，就造成光照射的部分带正电，未被光照射部分带负电，光照部分与未被光照部分产生光电动势。基于该效应的光电器件如半导体光电位置敏感器件(PSD)。

一构造与工作原理

1光电管

光电管有真空光电管和充气光电管或称电子光电管和离子光电管两类。

它们结构相似，由一个阴极和一个阳极构成，并且密封在一只真空玻璃管内。阴极装在玻璃管内壁上，其上涂有光电发射材料。阳极通常用金属丝弯曲成矩形或圆形，置于玻璃管的中央。

光

光电管的结构示意图

9.2光电器件及其特性

9.2.1光电管

二特性

1光电特性

表示当光电管的阳级电压一定时，阳极电流I与入射在阴极上光通量φ之间的关系。

AI/μAI/μA

16

12-

8

4

0

0.20.40.60.81D/lm

16

12-

8

4

0

0.20.4

70

50

30

10

0.60.81φ

(a)真空光电管的光电特性(b)充气光电管的光电特性

2伏安特性

当入射光的频谱及光通量一定时，阳极与