智能传感器的集成技术.pptVIP

陀螺仪的基本工作原理和工作模式带有片上有源电路的电镀环陀螺的制造过程集成电路制造的主要步骤3）封装：提供合适的散热和引线连接条件，如带窗口的ROM。4）测试§4.2.2集成电路电阻器制作工艺：硅衬底材料（N－Si）二氧化硅层形成制作电阻的图形形成电阻器。；通常用符号表示，称为薄层电阻，单位：。§4.2.3集成电路电容器硅衬底材料二氧化硅层形成所需的窗口形成区→集成MOS电容器。集成电阻器§4.2.4电感的制造用于测量数据的无线传递，能量的无线发送，微执行器的电磁驱动。制造方法：1）在铜膜上制作电感掩膜，然后在腐蚀液中进行腐蚀；2）利用电感掩膜在衬底上淀积活化层，接着在活化层上电镀厚铜层。上述两种方法只能制作微型电感。3）利用光刻胶材料制作电感模具，在模具中电镀生长铜线圈层，该方法可制作多层电感线圈。制造过程：衬底（不锈钢膜片）基底基片再光刻，形成线圈模具线圈形成隔离层、引线孔制造多层。§4.2.5双极性晶体管双极性晶体管的制造过程比较复杂，它总共包括：薄膜形成6次；图形曝光6次；刻蚀4次；离子注入4次，共分6步完成制作过程。IC中的双极晶体管大多是N－P－N型。1）形成埋层，减少集电极串联电阻；2）生长N型外延层，它的厚度和掺杂浓度决定于工作电压；3）形成横向氧化物隔离区，将发射区与集电区隔开；4）形成基区，基区与发射区位置比较接近；5）形成发射区；6）用金属化工艺形成基极、发射极、集电极引出电极。双极晶体管制造过程截面图4.3微机械工艺的主要技术集成电路工艺基本上是平面工艺，而微机械工艺从某种角度上来说是立体工艺，它不仅仅用于微传感器的加工，而且用于电力电子器件、真空场发射阵列器件、扫描隧道显微镜中的微探针头、微电子机械系统等。§4.3.1SOI晶片（SilicononInsulator）作用：将有源部分（电路部分）与敏感部分隔开，同时与恶劣环境隔开。构成：制备方法：1）SIMOX（SeparationbyIonImplantationofoxygen）氧离子注入；2）SDB（SiliconWaferDirectBonding）键合；注意点：防止衬底非晶化。§4.3.2硅的各向异性刻蚀技术基于硅的不同晶面具有不同的腐蚀速率的特性，在硅衬底上加工出各种各样的微结构。（100）：最快；（110）：一般；（111）：最慢。1、腐蚀剂的种类a）有机腐蚀剂：EDP（乙二胺，邻苯二酚，水）；联胺。b）无机腐蚀剂：（碱性）KOH，NaOH水溶液2、影响腐蚀特性的因素a）腐蚀系统成分配比不同，腐蚀特性不同；b）晶体的晶向及掺杂浓度例如：在重掺硼（约）样品中，腐蚀速率接近于零；这种特性可用于自致停止腐蚀技术（掺硼的P型硅，掺磷的N型硅腐蚀速率随浓度升高而降低变慢）。c）温度：温度越高，腐蚀速率越大。传感器：悬臂梁，压力－流量传感器芯片电力电子器件：VVMOS；场发射阵列；STM（扫描隧道显微镜）探头；太阳能电池。应用：各向异性腐蚀的机制硅不同晶面的悬挂键密度的不同，；由于硅在腐蚀过程中存在表面预钝化层，（111）面预钝化层容易生长。§4.3.3干法刻蚀1、湿法刻蚀的缺点1）使用化学药品，不利于安全操作和环境保护；2）腐蚀后要清洗，效率低；3）由于侧向腐蚀和钻蚀，难以获得高精度的细线条；4）、难熔金属难腐蚀。目前干法刻蚀是VLSI的标准腐蚀技术。2、等离子体腐蚀技术1）溅射腐蚀和离子束铣蚀；具有高的分辨率，但选择性不够好，属物理反应。2）等离子体腐蚀：－E