半导体单壁碳纳米管高效固定策略及对器件性能的影响机制研究.docx

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2025-02-25 发布于上海
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一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，纳米电子器件在现代社会中的应用愈发广泛，从智能手机、电脑到各种智能穿戴设备，它们已成为人们生活中不可或缺的一部分。在纳米电子器件领域，半导体单壁碳纳米管（s-SWCNT）凭借其独特的结构和优异的性能，成为了备受瞩目的研究对象。单壁碳纳米管由单层石墨烯卷曲而成，具有原子级厚度、表面无悬键的准一维管状结构，这种特殊的结构赋予了它许多优异的电学性质，如高载流子迁移率和高弹道输运等。据相关研究表明，半导体单壁碳纳米管的载流子迁移率约为109A/cm2，是单晶Si的10倍，这使得它在构建高性能、低功耗场效应晶体管沟道材料方面展现出巨大的