材料表面与界面---研究生教案.pptVIP

《材料外表与界面》;课程编号:H01204;课程主要内容：;课程教材及主要参考书：;课程教学方案〔共16讲〕：;第一局部材料外表与界面的结构;二、清洁外表;2、弛豫外表---;3、重构外表---;三、吸附外表;四、外表自由能;五、外表偏析;1.2外表二维结构;二维格子的数目是有限的，实际上只有5种Bravais格子，即斜形、方形、六角形、矩形以及中心矩形，其基矢如下：;外表结构命名法;1.3常见的外表结构;4、垂直于外表的最上层与第二层的间距接近于体内的值，变动

小于5%。一些〔较少〕非紧密堆积的晶面，约有5%-15%的

缩短；

5、非紧密堆积的原子比紧密堆积的原子更趋向于松弛；

6、有些晶面上吸附原子后，外表和体内的键长差异减小甚至消

失〔可能是外表断裂的键由于吸附杂质原子而获得恢复〕。;二、半导体外表结构;三、氧化物外表结构;四、薄膜外表结构;1.4固体的界面;1、平移界面;2、孪晶界面;4、反演界面;二、界面的微观结构;1、晶界原子排列的理论模型;3、大角晶界;5、晶界能与晶界电势;6、晶界偏析;三、半导体界面结构;四、超晶格界面结构;五、薄膜界面结构;1、薄膜界面的类型;2、薄膜界面形貌的分形维数表征;六、陶瓷晶界结构;第二局部材料外表振动;2.1连续介质的外表波;第n个原子的牛顿运动方程为：;二、一维双原子链;三、外表晶格振动与力常数;2.2晶体的外表振动;作业;第三局部金属外表的电子态;3.1局域能态密度及积分态密度;一维无限势垒模型;电子在Z=0---L范围内且两端具有无限高势垒中运动，其归一化波函数为：;而实际上，金属体内的电子是处于无界面与缺陷的均匀系统中，它满足周期性边界条件，设电子处在Z=0---L’范围内，那么，其归一化波函数为：;2、能态密度;体能态密度：;3、局域态密度;对于一维情况，上述〔8〕可写为：;4、电子电荷密度;设nb为体电荷密度，ns(z)为局域外表电荷密度，那么有nb=2qF/?，且，代入〔13〕式有：;nb;5、积分态密度;二、一维单端有限势垒模型;1、波函数与能量本征值;五、外表能的单电子近似;?;金属处在z0??,那么功函数为:;三、外表能;3.3几种近似方法;课程开放内容;第四局部半导体外表电子态;4.1半导体外表准自由电子〔NFE〕模型;一、窄禁带半导体外表态的形成;半导体体内电子波函数的形式为：;对上述〔3〕式，用禁带表示双能带函数关系如以下图所示。;上图分3段即2种情况：;一维窄禁带半导体突变势垒模型;二、窄禁带半导体外表区连续态的畸变;4.2金属---半导体界面态;单端表面光滑势垒模型;金属---半导体界面系统中半导体禁带范围内，外表能态密度为：;NM-SC（E）;2|Vg|;一维窄禁带半导体突变势垒模型;金属---半导体结的一维模型;4.3半导体外表空间电荷层及电子输运;如果E0EF，电子由体内输送到外表，反之，假设E0EF，电子由外表输送到体内。

由于电子输送的结果，在外表和靠近外表的区域形成偶电层，即在近外表附近形成空间电荷层。;根据外表与体内的载流子密度〔价带空穴p，导带电子n〕的大小关系，空间电荷层分为三类：积累层、耗尽层和反型层。;二、空间电荷层中的电子输运;第五局部外表吸附;5.1吸附过程;二、化学吸附;5.2吸附---脱附动力学;第六局部薄膜与非晶的外表与界面特性;6.1薄膜与基底的作用;6.2单晶薄膜;6.3多晶薄膜;2?;6.4多层薄膜;13层膜;40层膜;一、插层化合物;插层的影响：;二、超晶格多层膜;6.5非晶态;二、非晶的电子态;三、非晶的导电特性;镀层;比较;样品1;样品1;样品2;样品特征：基底〔母材〕薄，镀层为Al-Zn，金相腐蚀程度轻〔未作重腐蚀程度〕

见Word文档;自学及讨论内容：

-----------外表分析方法;每个同学准备一种表/界面分析的方法与技术。可按指定的，也可以自己另外补充或选择。〔PPT：10-15页，Word文本〕

要求如下：

1、包括分析原理与装置；

2、特点、优缺点；

3、适用范围；