Ru掺杂对相变存储材料数据保持力的影响与优化策略研究.docx

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2025-03-01 发布于上海
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一、引言

1.1研究背景与意义

在信息技术飞速发展的当下，数据存储技术作为信息领域的关键支撑，正面临着前所未有的挑战与机遇。随着大数据、人工智能、物联网等新兴技术的蓬勃兴起，数据量呈爆发式增长，对存储技术在存储密度、读写速度、功耗以及数据保持力等多方面都提出了极为严苛的要求。传统的存储技术，如动态随机存取存储器（DRAM）和闪存（NANDFlash），在面对这些日益增长的需求时，逐渐暴露出其固有的局限性。DRAM虽读写速度快，却属于易失性存储器，断电后数据即刻丢失；NANDFlash虽能实现数据的长期保存，但其读写速度较慢，且存在擦写次数有限、随机写性能欠佳等问题。

相变存储技术作为