石墨烯最新研究进展2014.pptVIP

石墨烯及其应用;目录;绪论

碳家族开展历程;碳家族开展历程;石墨烯;碳的晶体结构;碳纳米材料开展趋势;二维石墨烯的结构;ElenaStolyarovaetalPNASMay29,2007vol.104no.229209–9212;a)石墨烯的五元环和七元环缺陷模拟

b)c)侧视图〔平面以上的为缺陷上连着的官能团〕;石墨烯纳米条带结构;石墨烯的性能简介;石墨烯在不同的基体上的AFM图〔a、bc200nm×200nm〕

a石墨烯/SiO2b石墨烯/mica

c剥离的石墨烯d高度分析〔b红色c蓝色〕;机械剥离法(胶带法)

操作简单，产量极低，尺寸不易控制，

只适用于根本的理论研究

2.SiC外延生长法

超高的真空度和高的热处理温度(1000oC)

外延生长的石墨烯与基体SiC外表高的结合

强度以及SiC化学性质十分稳定使得难以

将外延生长的石墨烯转移到其他的基体上

3.化学气相沉积法(CVD)

4.化学剥离;石墨烯的发现：机械剥离法;机械剥离〔胶带法〕

--英国;SCIENCEVOL30622OCTOBER2004;机械剥离法(胶带法)

操作简单，产量极低，尺寸不易控制，产物

只适用于根本的理论研究

2.SiC外延生长法

超高的真空度和高的热处理温度(1000oC)

外延生长的石墨烯与基体SiC外表高的结合

强度以及SiC化学性质十分稳定使得难以

将外延生长的石墨烯转移到其他的基体上

可用固相萃取法改进

3.化学气相沉积法(CVD)

4.化学剥离;SiC外延生长;不同热处理制度下外延生长石墨烯在SiC(0001)晶面高分辨电镜照片

1350℃-0.5h，(b)1450℃-0.5h，(c)1400℃-1.0h，(d)1500℃-0.5h。;典型的石墨烯在SiC台阶上生长的HRTEM照片

(a)石墨烯开始在台阶上生成

(b)大范围扫描照片

(c)和(d)为(b)中两个台阶区域的放大照片

(e)和(f)为台阶处的石墨烯;(a)–(h)石墨烯在SiC上形成过程图解虚线处与上图中相应局部相符合

(i)SiC外延生长石墨烯形貌;热处理;机械剥离法(胶带法)

2.SiC外延生长法

3.化学气相沉积法(CVD)

在过渡金属外表上沉积制备石墨烯〔外表别离〕

无基质CVD、等离子增强CVD、喷雾热解和溶剂热法制备石墨烯

可制备出大面积石墨烯薄膜(可达~1cm2)

通过用酸刻蚀掉过渡金属能够很容易地将石墨烯转移到其他基体???

生长单晶石墨烯仍然是个挑战

4.化学剥离法

以石墨或者其石墨衍生物〔氧化石墨、膨胀石墨〕为原料制备石墨烯

批量化以及产物适合化学功能化

机构被强氧化性物质破坏-在复原过程中或者复原之后需对产物进行

修复以提高石墨烯性能;两种常见的CVD机理:

过渡金属外表冷却速度控制沉淀/析出机理:碳原子在高温下融入到过渡金属中，然后在冷却过程中在过渡金属外表析出。常见的为以金属Ni做基体化学气相沉积制备石墨烯。

外表沉积机理:碳原子沉积在金属外表而没有溶解/析出过程。常见的为以Cu做基体化学气沉积制备石墨烯。;石墨烯在Ni基体上生长原理示意图

(a)甲烷分子扩散并吸附在Ni基体外表.

(b)甲烷分子在Ni基体外表热解成C和其他附加原子

(c)碳和附加原子进入Ni内部

(d)在低温下碳原子从Ni基体中析出进而形成石墨烯。;Q.Yu,etal.,GraphenesegregatedonNisurfacesandtransferredtoinsulators,Appl.Phys.Lett.93,113103(2008).;AFM显微镜照片（石墨烯在Ni基体上的皱褶）;CVD外表沉积机理;*;C-金属(NiCu)二元相图;NanoLett.2010,10,1542-–1548;机械剥离法(胶带法)

2.SiC外延生长法

3.化学气相沉积法(CVD)

在过渡金属外表上沉积制备石墨烯〔外表别离〕

无基质CVD、等离子增强CVD、喷雾热解和溶剂热法制备石墨烯

可制备出大面积石墨烯薄膜(可达~1cm2)

通过用酸刻蚀掉过渡金属能够很容易地将石墨烯转移到其他基体上；

生长单晶石墨烯仍然是个挑战

4.化学剥离法

以石墨或者其石墨衍生物〔氧化石墨、膨胀石墨〕为原料制备石墨烯

批量化以及产物适合化学功能化

机构被强氧化性物质破坏-在复原过程中或者复原之后需对产物进行

修复以提高石墨烯性能;石墨为原料通