基于二氧化钒的主动式频率选择表面仿真设计研究.pdf

华中科技大学硕士学位论文

摘要

传统的被动式频率选择表面（PassiveFrequencySelectiveSurface，PFSS）由于无

法灵活适应复杂多变的电磁环境，随之发展起来的主动式频率选择表面（Active

FrequencySelectiveSurface，AFSS）已成为当前研究的热点。近年来，国内外专家主

要围绕加载有源器件、液晶材料、电磁特性可变介质材料、光照相变材料以及可折叠

式设计等方式进行了深入的探索，并取得许多研究成果，但这些方式均存在部分难以

解决的问题。由于相变材料二氧化钒（VanadiumDioxide，VO）在升温前后会发生

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金属-绝缘体的可逆相变，其电导率在相变前后呈现阶跃变化；此外，VO2和超快激

光结合具有易于实现激光刻型的优势。因此，本文将VO2与FSS相结合设计了具有

频率调谐功能的AFSS结构，并探索了磁控溅射法和超快激光刻蚀技术制造AFSS样

件的工艺。本文主要包括以下内容：

（1）将VO2与FSS结构相结合，提出了易于激光刻蚀制造且能够实现双频点调

谐功能的AFSS结构，并优化了谐振频率调节范围和角度稳定性。以经典缝隙型十字

单元结构为例分析了FSS结构的滤波特性，并对十字单元结构进行优化使其谐振频

率为10GHz。以优化后的十字单元结构为基础，提出了一种在十字单元中心四周加

载四个方形VO2的AFSS结构，该结构在VO2相变前的谐振频率为11.39GHz，在

TE和TM波入射下的角度平均偏移度分别为0.76%和0.49%；在相变后谐振频率变

回10GHz，并且在TE和TM波入射下的角度平均偏移度分别为0.56%和0.90%。为

增大谐振频率调谐范围，在上述AFSS结构的基础上提出了一种改进的AFSS结构。

改进型AFSS结构在VO相变前的谐振频率为11.55GHz，在TE和TM波入射下的

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角度平均偏移度分别为0.66%和0.45%；在相变后谐振频率依旧为10GHz。由此可

见，改进型AFSS结构在提升谐振频率调谐范围的同时还提高了角度稳定性。

（2）通过引入掺杂VO，提出了实现AFSS结构谐振频率连续调节的新方法，

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并设计了能够实现三频点可调谐的AFSS结构进行设计验证。对经典缝隙型方环单

元结构进行优化设计使其谐振频率为13GHz，并以该方环单元结构作为对比分析的

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基础结构。通过在方环结构中加载无掺杂VO和掺杂VO，分别设计了随着温度的

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升高，谐振频率从8.84GHz增大到12.59GHz再增大到13GHz的AFSS结构和谐

振频率从13.83GHz减小到13.45GHz再减小到13GHz的AFSS结构。并且这两种

AFSS结构在不同温度状态下的角度平均偏移度均小于2%，具有较高的角度稳定性。

由此可见，上述AFSS结构验证了利用掺杂VO2实现谐振频率连续调谐的可行性。

（3）探索了磁控溅射法和超快激光刻蚀技术制备AFSS样件的工艺。研究了氧

氩比参数对VO2薄膜质量与性能的影响，为后续制备AFSS样件打下了基础。通过

在石英基底上镀铜膜、铜膜激光刻蚀、镀VO2薄膜、VO2薄膜激光刻蚀、真空退火

和样件成型这六步制备出了双频点可调谐AFSS样件，并在微波暗室中进行了测试。

测试结果验证了利用VO实现频率调谐的可行性，也充分证明了利用VO制备AFSS

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样件是可行的，且在VO相变前后，AFSS的变化趋势符合实验预期，为AFS