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继电器电容大小的表示方法（二）p、n、u、m法：此时标识在数字中的字母：p、n、u、m即是量纲，又表示小数点位置。如某电容标注为4n7表示此电容标称容量为4.7×10-9F=4700pF。色环(点)表示法：该法同电阻的色环表示法,沿着电容器引线方向，第一、二种色环代表电容量的有效数字，第三种色环表示有效数字后面零的个数，其单位为pF。电容器产品标出的电容量值。云母和陶瓷介质电容器的电容量较低（大约在1、标称电容量（CR）5000pF以下）；纸、塑料和一些陶瓷介质形式的电容器居中（大约在较大。这是一个粗略的分类法。0.005uF~1.0uF）；通常电解电容器的容量电容的标称类别温度范围电容器设计所确定的能连续工作的环境温度范围。该范围取决于它相应类别的温度极限值，如上限类别温度、下限类别温度、额定温度（可以连续施加额定电压的最高环境温度）等。电容的标称电容的标称3、额定电压（UR） 在下限类别温度和额定温度之间的任一温度下，可以连续施加在电容器上的最大直流电压或最大交流电压的有效值或脉冲电压的峰值。电容器应用在高电压场和时，必须注意电晕的影响。电晕是由于在介质/电极层之间存在空隙而产生的，它除了可以产生损坏设备的寄生信号外，还会导致电容器介质击穿。在交流或脉动条件下，电晕特别容易发生。对于所有的电容器，电容器的额定电压应高于实际工作电压的工10－20％，对工作电压稳定性较差的电路，可留有更大的余量，以确保电容器不被损坏和击穿。损耗角正切（tgδ）在规定频率的正弦电压下，电容器的损耗功率除以电容器的无功功率为损耗角正切。在实际应用中，电容器并不是一个纯电容，其内部还有等效电阻，它的简化等效电路如附图所示。对于电子设备来说，要求RS愈小愈好，也就是说要求损耗功率小，其与电容的功率的夹角要小。这个关系为：tgδ=RS/XC=2*3.14*f*C*RS。因此，在应用当中应注意选择这个参数，避免自身发热过大而影响寿命。电容的标称电容的标称5、瓷介电容瓷介电容分类：CC1一类高频低压瓷介电容器CT1二类低频低压瓷介电容器CS1三类低频低压瓷介电容器CC81一类高频高压瓷介电容器CT81二类低频高压瓷介电容器CT7交流安规瓷介电容器瓷介电容电解电容01容量大、体积小，耐压高（但耐压越高，体积也就越02大），一般在500V以下。常用于交流旁路和滤波。缺点03是容量误差大，且随频率而变动，绝缘电阻低。电解电04容有正、负极之分（外壳为负端，另一接头为正端）。05一般，电容器外壳上都标有“＋”、“－”记号，如无标记06则引线长的为“＋”端，引线短的为“－”端，使用时必须07注意不要接反，若接反，电解作用会反向进行，氧化膜08很快变薄，漏电流急剧增加，如果所加的直流电压过09大，则电容器很快发热，甚至会引起爆炸。电解电容二极管半导体二极管由一个PN结，再加上电极、引线，封装而成。正向特性：特性曲线的第一象限部分，曲线01呈指数曲线形状，非线性。正向电压很低时正向02电流几乎为0，这一区间称为“死区”，对应的电03压范围称为死区电压或阈值电压，锗管的死区电04压大约为0.1V，硅管的死区电压约为0.5V；05反向特性：反向电流很小，但当反向电压过高06时，PN结发生击穿，反向电流急剧增大。07二极管二极管2管、砷化镓二极管。按结构不同可分为点3接触型二极管和面接触型二极管。按用途1晶体二极管接材料分有锗二极管、硅二极6管等。5管、稳压二极管、开关二极管、发光二极4分有整流二极管、检波二极管、变容二极二极管二极管除通用参数外，不同用途的二极管，还有其各自的特殊参数。下面介绍常用二极管的参数，如整流、检波等共有的参数。（1）最大整流电流 它是晶体二极管在正常连续工作时，能通过的最大正向电流值。使用时电路的最大电流不能超过此值。否则二极管就会发热而烧毁。（2）最高反向工作电压 二极管正常工作时所能承受的最高反向电压值。它是击穿电压值的一半。也就是说，将一定的反向电压加到二极管两端，二极管的PN结不致引起击穿。一般使用时，外加反向电压不得超过此值，以保证二极管的安全。二极管（3）最大反向电流 这个参数是指在最高反向工作电压下允许流过的反向电流。这个电流的大小，反映了晶体二极管单向导电性能的好坏。如果这个反向电流值太大，就会使二极管过热而损坏。因此这个值越小，表明二极管的质量越好。（4）最高工作频率 这个参数是指二极管能正常工作的最高频率。如果通过二