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Halleffect同学们,本节课我们学习的主要内容是霍尔效应。霍尔效应霍尔效应位移检测、速度和加速度检测
霍尔位置传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。根据霍尔效应制作的磁场传感器
霍尔效应是磁电效应的一种,霍尔效应磁电效应
这一现象是霍尔(A.H.Hall,1855-1938)于1879年在研究金属的导电结构时发现的。霍尔效应1879年(A.H.Hall,1855-1938)
霍尔效应后来发现半导体、等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,半导体比金属强得多
利用这现象制成的各种霍尔元件,广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应自动化技术检测技术信息处理
霍尔效应霍尔效应,置于磁场中的静止载流导体,当电流方向与磁场方向不一致时,载流导体上平行于电流和磁场方向上的两个面之间产生电动势,这种现象称为霍尔效应,该电势称为霍尔电动势。载流导体上平行于电流和磁场方向上的两个面之间产生电动势霍尔电动势
每个电子受洛仑兹力fm的作用,fm大小为Fm=eBv霍尔效应每个电子受洛仑兹力fm的作用fmFm=eBvee:电子电荷v:电子运动平均速度B:磁场的磁感应强度vB
fm的方向在图5-1-1中是向上的,电子在fm的作用下漂移,霍尔效应fm的方向在金属导电板上底面积累电子在下底面积累正电荷附加内电场EH霍尔电场
该电场强度为EH=UH/b式中:UH为电位差。霍尔效应??由于霍尔电场,定向运动的电子除了受洛仑兹力外,还受霍尔电场的作用,其大小为eEH,该力与洛仑兹力方向相反,阻止电荷继续积累。电子所受作用力大小相等、方向相反时????
位移检测、速度和加速度检测Thankyou谢谢大家谢谢大家
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