铪基FeFET疲劳过程中电荷捕获机制的深度剖析与前沿洞察.docx

铪基FeFET疲劳过程中电荷捕获机制的深度剖析与前沿洞察

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，大数据、人工智能、物联网等新兴领域对存储技术提出了更高的要求。传统的存储技术，如动态随机存取存储器（DRAM）和闪存，在面对日益增长的数据存储和处理需求时，逐渐显露出性能瓶颈。在这样的背景下，新型存储技术的研发成为了学术界和产业界关注的焦点。

铪基铁电场效应晶体管（FeFET）作为一种极具潜力的新型存储器件，近年来受到了广泛的关注。它基于铁电材料的独特特性，具有高存储密度、低功耗、高速读写以及与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺兼容性好等优势，被认为是下一代存储技术的有力候选者