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2025年金属氧化物半导体纳米材料的组合物 .pdfVIP

2025年金属氧化物半导体纳米材料的组合物 .pdf

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君子忧道不忧贫。——孔丘

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CNA

202520256

(43)申请公布日2025.07.03

(21)申请号CN202520252025.6

(22)申请日2020.01.08

(71)申请人纳米索诺合作有限公司

地址以色列上约克尼穆7哈克达姆7号

(72)发明人阿里尔·安东尼奥·弗兰科罗恩萨鲁斯·

(74)专利代理机构北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人关艳芬

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

金属氧化物半导体纳米材料的组合

(57)摘要

本发明提供了包含金属氧化物半导

体纳米材料的组合物。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

学而不知道,与不学同;知而不能行,与不知同。——黄睎

2023-02-28授权发明专利权授予

以家为家,以乡为乡,以国为国,以天下为天下。——《管子》

权利要求说明书

1.一种金属氧化物半导体纳米材料,所述纳米材料包含:金属氧化物A和金属氧化物

B;其中所述金属氧化物A和所述金属氧化物B独立地选自包括碱土金属、d-过渡

金属、f-过渡金属或其组合的组;并且其中所述纳米材料包含金属氧化物量子点的团

簇。

2.如权利要求1所述的金属氧化物半导体纳米材料,其中所述金属氧化物量子点联合

包含异质结并且所述异质结包含至少一种n型金属氧化物纳米颗粒和至少一种p型

金属氧化物纳米颗粒。

3.如权利要求1所述的金属氧化物半导体纳米材料,其中所述金属氧化物半导体纳米

材料可能包含或不包含至少两种金属,其中一种金属相比第二种金属占主导,并且所

述不占主导的金属包含大于10重量%的所述金属氧化物A和小于30重量%的金属

氧化物A并且所述占主导的金属包含大于70重量%的所述金属氧化物和小于90重

量%的所述金属氧化物。

4.如权利要求1所述的金属氧化物半导体纳米材料,其中所述纳米材料还包含至少一

种聚合物材料、至少一种有机分子或其组合,其中所述聚合物材料包含壳聚糖、海

藻酸盐、明胶、羧甲基纤维素、聚乙二醇或其组合;并且其中所述有机分子包含十

八硫醇、全氟硫醇、半胱氨酸、巯基烷烃、柠檬酸、油酸或其组合。

5.如权利要求1所述的金属氧化物半导体纳米材料,其中所述纳米材料展现材料中的

非均匀电导率并且其中所述纳米材料展现约0.5eV至约6.5eV的光学带隙范围。

6.如权利要求1所述的金属氧化物半导体纳米材料,其中所述纳米材料包含纳米级的

多孔结构、相对较大的每单位质量表面积(m

2

/g)、大的每单位体积表面积(m

2

/mL)或其组合

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