2025年半导体器件制造过程中的材料科学考核试卷 .pdfVIP

士不可以不弘毅，任重而道远。仁以为己任，不亦重乎?死而后已，不亦远乎?——《论语》

半导体器件制造过程中的材料科学考核试

卷

考生姓名：________________答题日期：____年__月__日得分：_____________判卷人：

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一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只

有一项是符合题目要求的）

1.半导体材料中最常见的是哪一类元素？（）

A.稀土元素

B.过渡金属

C.主族元素

D.碱金属

2.以下哪种材料不属于半导体材料？（）

A.硅

B.锗

C.铜导线

D.砷化镓

3.在半导体制造过程中，以下哪种技术被用于制作N型半导体？（）

A.离子注入

B.硼扩散

C.磷扩散

D.氧化

4.P型半导体中主要掺杂元素是？（）

A.硼

B.磷

C.砷

D.锗

5.下列哪种材料通常用于半导体器件的绝缘层？（）

A.硅

B.硅二氧化物

C.砷化镓

D.铝

6.在半导体器件制造过程中，下列哪项操作用于去除表面的杂质？（）

A.化学气相沉积

B.等离子体刻蚀

C.碱性清洗

D.离子注入

7.制作MOSFET时，栅极绝缘层一般采用的材料是？（）

A.硅

B.硅二氧化物

C.多晶硅

D.铝

8.下列哪种光刻技术适用于高精细度半导体器件制造？（）

穷则独善其身，达则兼善天下。——《孟子》

A.干式光刻

B.湿式光刻

C.极紫外光刻

D.紫外光刻

9.在半导体器件中，哪种结构可以用来控制电流？（）

A.源极

B.栅极

C.漏极

D.基极

10.下列哪种材料主要用于半导体器件的导电接触？（）

A.金

B.铝

C.硅

D.硅二氧化物

11.在半导体器件制造中，下列哪种方法用于形成PN结？（）

A.离子注入

B.硼扩散

C.化学气相沉积

D.光刻

12.下列哪种技术可以用来减小半导体器件的特征尺寸？（）

A.离子注入

B.光刻

C.化学机械抛光

D.硼扩散

13.制作半导体器件时，下列哪种材料可以用来作为掩模？（）

A.硅

B.硅二氧化物

C.光刻胶

D.铝

14.下列哪种技术常用于在半导体表面形成多晶硅层？（）

A.等离子体增强化学气相沉积

B.离子注入

C.硼扩散

D.光刻

15.半导体器件中，下列哪种结构可以实现