2025【SiGe材料在太阳能电池中的应用与转化效率分析（论文）11000字】.doc

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SiGe材料在太阳能电池中的应用与转化效率分析

摘要：随着绿色能源建设和国家“碳中和”目标的落实。占据电力供应大头的火力发电有被核能、风能、太阳能等新能源取代的趋势。加上疫情后各国竞争态势明显，太阳能以其更强的地理适应能力，更小的投入需求，更灵活的独立组网能力，在多种新能源中脱颖而出。其未来市场需求潜力巨大。然而，目前制约太阳能发展的主要因素是投入产出比。其中最主要的是太阳能的转化效率。本论文通过对传统Si太阳能电池的原理进行剖析。并在此基础上论证一种新型，即以硅锗材料作为本征层的p-i-n型太阳能电池新型结构的设计。以求优化提高太阳能电池的转化效率。然后，通过半导体器件模拟仿真软件对基本型和改进型两种太阳能电池进行仿真模拟。得出反映太阳能电池转化效率的相关数据参数，并通过比较不同本征层厚度下的仿真结果最终论证得出p-i-n型SiGe太阳能电池结构比传统Si太阳能电池有更高的转化效率且在一定范围内本征层越厚转换效率越高的结论。本论文为p-i-n型SiGe太阳能电池的应用探索了理论可行性。

关键词：太阳能电池；SiGe；p-i-n；结构设计；转化效率

1绪论

1.1研究背景

由于资本对于高转化率和产品柔性的追逐。目前在太阳能电池领域，钙钛矿和有机光伏材料的研究正处于前沿。然而，以硅作为基底的硅锗材料可以根据光谱吸收率调节带隙以达到较高的光吸收系数，而且SiGe材料具有优秀的抗辐射能力。[1]使其在超高低纬度和太空环境下具有良好的适应性。目前依然具有研究价值（李泽宇,张晓峰,2022)。另外，p-i-n型太阳能电池相较于传统p-n型太阳能电池拥有更宽的内建电场。而SiGe和SiC对比单质Si又具有优秀的带隙调节能力。这在某种程度上指出使其具有更强的光谱适应性。由于传统Si太阳能电池转化效率较低，本设计希望对其结构进行一定程度上的优化以达到提升其性能参数的目的(王俊鹏,刘一凡,2023)。

1.2研究意义

使用寿命长，可靠性好，建设成本低，绿色环保，能够独立组网供电是太阳能电池的优点。较低的转化效率作为太阳能电池应用领域的短板正逐渐凸显。本课题主要研究如何通过优化太阳能电池的结构来提升太阳能电池的转化效率。p-i-n型SiGe太阳能电池由于其良好的带隙可调节性和内建电场宽度。使其在提升太阳能电池转换效率方面有着重要的意义。同时对其他材料的半导体太阳能电池研究可能具有一定的参考价值。

1.3研究方法

本毕业设计首先通过查阅文献选择其中比较有代表性的太阳能电池结构从理论层面对其进行比较分析。然后利用TCAD(TechnologyComputerAidedDesign)即电子技术计算机辅助设计。利用其过程仿真和器件仿真软件来达到实验验证的目的。这在某种程度上表征通过比较基础结构和改进结构后的不同太阳能电池的参数及转换效率来确定太阳能电池的设计结构并进行优化。通过比较给出优化方案。本毕业设计所采用的器件仿真软件为SilvacoTCAD中的Athena工艺仿真器和Atlas器件仿真器。

2.半导体太阳能电池原理

2.1禁带宽度

在微观尺度下，能量不像在宏观尺度下一样可以连续取值。电子在统计学上成为可以导电的自由电子所在能级的最小值作为上边界(陈星河,赵雨桐,2021)。电子在统计学上可以认为其被原子所束缚所具有能量的最大值作为下边界。这在一定范围内显示了这样上下边界所组成的能量带称作禁带，其所跨越的能级大小即是禁带宽度。[2]电子若想通过本征跃迁从价带进入导带则必须获得大于等于禁带宽度的能量(刘佳怡,黄志豪,2021)。

λ=cv

EgeV

其中Eg为禁带宽度。λc为截止波长。从公式(2-1-2)[2]中可以得到禁带宽度与截止波长呈反比例关系(张雅静,周赫连,2022)。QUOTEλc

2.2内建电场

由半导体材料作为主要材料的太阳能电池中的内建电场专指由P型掺杂的半导体材料和N型掺杂的半导体材料相互在接触面发生接触时在其接触面及其附近产生的具有一定空间的电场。如图2-1所示，在PN结的接触面附近，N型材料中的自由电子随扩散作用进入P型材料(林浩然,吴志明,2020)。这个过程使原本呈电中性的N型材料由于失去其外层自由电子而带正电荷，同时P型材料由于失去空穴，而使其由呈电中性转变为带负电荷。这在一定程度上确认了这样在两种分别带正负电荷的p-n结附近的两种半导体材料之间就产生了一个电场方向由N型掺杂区指向P型掺杂区的电场，即内建电场(唐子凡,何悦彤,2019)。

图2-1p-n结的内建电场

2.3光生伏特效应

光生伏特效应于1839年由法国物理学家EdmondBecquerel首先发现。[3]光生伏特效应简称光伏效应，是现代太阳能电池的基本工作原理。[3]半导体材料的光电效应