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电子显微分析方法.ppt

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三、原子力显微镜(AFM)第23页,共37页,星期日,2025年,2月5日基本原理AFM是使用一个一端固定而另一端装有针尖的弹性微悬臂来检测样品表面形貌的。当样品在针尖下面扫描时,同距离有关的针尖与样品相互作用力(既可能是吸引的,也可能是排斥的),就会引起微悬臂的形变,也就是说,微悬臂的形变是对样品与针尖相互作用的直接测量;控制针尖或样品的Z轴位置,利用激光束的反射来检测微悬臂的形变,即使小于0.01nm的微悬臂形变也可检测,只要用激光束将它反射到光电检测器后,变成了3~10nm的激光点位移,由此产生一定的电压变化,通过测量检测器电压对应样品扫描位置的变化,就可得到样品的表面形貌图象。第24页,共37页,星期日,2025年,2月5日AFM结构原理图第25页,共37页,星期日,2025年,2月5日AFM操作模式第26页,共37页,星期日,2025年,2月5日关于电子显微分析方法第1页,共37页,星期日,2025年,2月5日第一节离子探针离子探针仪是利用电子光学方法把惰性气体等初级离子加速并聚焦成细小的高能离子束轰击样品表面,使之激发和溅射二次离子,以进行表面成分分析或者对样品进行原子层的剥层。与电子探针相比,离子探针的分析深度小(小于5nm),采样质量小,检测灵敏度高,可分析所有的元素,分析时间短。第2页,共37页,星期日,2025年,2月5日第3页,共37页,星期日,2025年,2月5日第4页,共37页,星期日,2025年,2月5日第二节低能电子衍射低能电子衍射利用10~500eV能量的电子入射表面,利用弹性背散射电子波的相互干涉产生衍射花样。由于样品物质与电子的强烈相互作用,常常使参与衍射的样品体积只是表面一个原子层;即使是稍高能量的电子也限于2~3层原子,分别以二维的方式参与衍射,只是使花样复杂一些而已。低能电子衍射成为固体表面结构分析的极为有效的工具。第5页,共37页,星期日,2025年,2月5日真空度达1.33×10-8Pa液氮冷却第6页,共37页,星期日,2025年,2月5日低能电子衍射的应用研究晶体的表面原子排列研究汽相沉积表面膜的生长研究氧化模的形成研究气体吸附和催化第7页,共37页,星期日,2025年,2月5日第三节俄歇电子能谱(AES)第8页,共37页,星期日,2025年,2月5日电子跃迁过程原子的内层电子被击出后,处于激发态的原子恢复到基态有两种互相竞争的过程:1)发射X射线荧光,2)发射俄歇电子;俄歇电子发射过程:原子内层电子空位被较外层电子填入时,多余的能量以无辐射弛豫传给另一个电子,并使之发射;俄歇电子常用X射线能线来表示,如KLⅠLⅡ俄歇电子表示最初K能级电子被击出,LⅠ能级上的一个电子填入K层空位,多余的能量传给LⅡ能级上的一个电子并使之发射出来。俄歇跃迁通常有三个能级参与,至少涉及两个能级,所以第一周期的元素不能产生俄歇电子。第9页,共37页,星期日,2025年,2月5日KL1L2X射线高能电子KLL俄歇电子俄歇电子的产生过程第10页,共37页,星期日,2025年,2月5日俄歇电子产额俄歇电子和X荧光产生几率是互相关联和竞争的,对于K型跃迁:ωK:荧光产额;α:俄歇电子产额。俄歇电子产额随原子序数的变化如图。对于Z?14的元素,采用KLL电子来鉴定;对于Z14的元素,采用LMM电子较合适;对于Z?42的元素,选用MNN和MNO电子为佳。第11页,共37页,星期日,2025年,2月5日平均俄歇电子产额随原子序数的变化平均俄歇电子产额随原子序数的变化第12页,共37页,星期日,2025年,2月5日俄歇电子的逸出深度:1~10?,只相当于表面几个原子层,因此俄歇电子能谱仪成为有效的表面分析工具。其分辨率直接与束斑尺寸相当。俄歇电子峰的宽度:取决于自然宽度和跃迁时所涉及到的能级本身的宽度,一般从几个电子伏特到10电子伏特以上。第13页,共37页,星期日,2025年,2月5日第四节场离子显微镜(FIM)抽高真空后通入成像气体FIM显微图像第14页,共37页,星期日,2025年,2月5日场离子显微镜的应用场离子显微镜技术的主要优点在于表面原子的直接成像,通常只有其中约10%左右的台阶边缘原子给出像亮点;在某些理想情况下,台阶平面的原子也能成像,但衬度较差。主要应用:1)点缺陷的直接观察;2)界面缺陷;3)无序-有序转变中结构的变化,反相畴界的点阵缺陷以及细小的畴尺寸(约7nm)的观察。第15页,共37页,星期日,2025年,2月5日第五节扫描隧道显微镜(STM)和原子力显微镜(AFM)一、STM的分辨率及其与其它分析

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