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ZnO-GaN异质结的晶格失配与光催化性能研究
摘要
本文通过杂化密度泛函理论系统研究了ZnO/GaN和CdS/ZnO二维异质结的结构特性、电子结构和光学性质。ZnO/GaN和CdS/ZnO二维异质结的界面形成能为负值,这表明这两种异质结的实验制备在能量上是有利的。差分电荷密度和Bader电荷分析表明ZnO/GaN和CdS/ZnO异质结界面处形成内建电场,促进光生电子-空穴分离,这有利于提高光催化性能。ZnO/GaN和CdS/ZnO异质结的带隙较小利于可见光吸收,且它们的带边位置均满足光催化水解制氢的条件。此外,改变层与层之间的旋转角度能够调控ZnO/GaN异质结构的带隙
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