JXP3N06VRG 60V N沟道增强型MOSFET SOT23 深圳恒锐丰科技.pdf

1、本文档共5页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

靖芯JXP3N06VRG

STBCHIP60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

DESCRIPTIONSCHEMATICDIAGRAM

TheJXP3N06VRGusesadvancedtrench

technologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgate

chargeandhighdensitycellDesignforultralow

on-resistance.Thisdeviceissuitableforuseas

aloadswitchorinPWMapplications.

GENERALFEATURES

VDS=60V，ID=3.0A

RDS(ON)(Typ.)=90mΩ@VGS=4.5V

PINASSIGNMENT

RDS(ON)(Typ.)=75mΩ@VGS=10V

HighpowerandcurrenthandingcapabilitySOT-23

Leadfreeproductisacquired(TOPVIEW)

SurfacemountpackageD

APPLICATION

PWMapplications3N06

Loadswitch

PACKAGE12

SOT-23GS

ORDERINGINFORMATION

PartNumberStorageTemperaturePackageMarkingDevicesPerReel

JXP3N06VRG-55°Cto+150°CSOT-233N063000

ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS

(TA=25℃unlessotherwisenoted)

parametersymbollimitunit

Drain-sourcevoltageVDS60V

Gate-sourcevoltage

专业电源芯片MOS管原厂代理商恒锐丰科技始终坚持产品质量第一，品质更安全交付更有保障,成本更有优势为目标,致力于成为客户首选电源合作伙伴！

咨询Ta 进入空间

更多 >