单片机课件第6章 单片机总线与存储器的扩展.pptVIP

6.2.3FLASH存贮器（闪速存储器）FLASH存贮器又称闪速存贮器或PEROM(ProgrammableErasableROM)，它是在EPROM工艺的基础上增添了芯片整体电擦除和可再编程功能，使其成为性价比高可靠性高、快擦写、非易失的EEPROM存贮器（后面简称Flash）。很多Flash内部集成有DC/DC变换器，使读、擦除、编程使用单一电压（根据不同型号，有的是单一＋5V，也有的是单一＋3V低压），从而使在系统编程（ISP）成为可能，目前很多单片机内均采用FLASH作为程序存储器。FLASH的扩展方法和EEPROM一样，下面以单片机8XX51与FLASHAT29C256的连接说明。引脚功能A0-A14地址线CE片选OE输出允许WE写允许I/O0-I/O7数据输入/输出AT29C256容量为32K×8位，引脚功能如下：单片机8XX51与FLASHAT29C256的连接电路6.3数据存储器的扩展MCS-51单片机内只有128字节的数据RAM，当应用中需要更多的RAM时，只能在片外扩展。可扩展的最大容量为64KB图9-6是单片机对片外RAM进行读操作的时序。当执行指令MOVXA，@Ri或MOVXA，@DPTR时进入外部数据RAM是的读周期。1.外部数据RAM的读周期时序在ALE的上升沿，把外部程序存储器的指令读入后就开始了对片外RAM的读过程。ALE高电平期间，在P0处于高阻三态后，根据指令间址提供的地址，P2口输出外部RAM的高8位地址A15~A8，P0端口输出低8位地址A7~A0；在ALE下跳沿，P0输出的低8位地址被锁存在锁存器中，随后P0又进入高阻三态，RD信号有效后，被选中的RAM的数据出现在数据总线上，P0处于输入状态，CPU从P0读入外部RAM的数据。2.外部数据RAM的写周期当执行MOVX@Ri，A或MOVX@DPTR，A指令时进入外部数据存储器的写周期，其写周期时序如下：写外部RAM的操作时序与读外部RAM的时序差别在于：其一，WR有效代替RD有效，以表明这是写数据RAM的操作；其二，在P0输出低8位地址A0~A7后，P0立即处于输出状态，提供要写入外部RAM的数据供外部RAM取走。由以上时序分析可见，访问外部数据RAM的操作与从外部程序存储器取指令的过程基本相同，只是前者有读有写，而后者只有读而无写；前者用RD或WR选通，而后者用PSEN选通；前者一个机器周期中ALE两次有效，后者则只有一次有效。因此，不难得出51单片机和外部RAM的连接方法。8XX51单片机扩展8KB静态RAM6264的电路见下图。图6.16由图9-8可见，ALE把P0端口输出的低8位地址A0~A7锁存在74LS373，P2口的P2.0~P2.4直接输出高5位地址A8~A12，由于单片机的RD和WR分别与6264的输出允许OE和写信号WE相连，执行读操作指令时，RD使OE有效，6262RAM中指定地址单元的数据经D0~D7由P0口读入；执行写指令时，WR使WE有效，由P0口提供的要写入RAM的数据经Do~D7写入6264的指定地址单元中。单片机8XX51读写外部数据RAM的操作使用MOVX指令，用Ri间址或用DPTR间址。第6章单片机总线与存储器的扩展单片机原理、接口及应用内容提要★单片机系统总线和系统扩展方法★程序存储器的扩展★数据存储器的扩展★*新型存储器扩展★小结MCS51系列单片机的特点就是体积小，功能全，系统结构紧凑，硬件设计灵活。对于简单的应用，最小系统即能满足要求。所谓最小系统是指在最少的外部电路条件下，形成一个可独立工作的单片机应用系统。一片89C51，或者一片8031外接一片EPROM就构成了一个单片机最小系统。在很多复杂的应用情况下，单片机内的RAM，ROM和I/O接口数量有限，不够使用，这种情况下就需要进行扩展。因此单片机的系统扩展主要是指外接数据存贮器、程序存贮器或I/O接口等，以满足应用系统的需要。单片机总是通过地址总线、数据总线