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团体标准
T/XXXXXXX—XXXX
半导体外延用碳化硅涂层石墨基座技术规
范
TechnicalSpecificationforSiliconCarbideCoatedGraphiteSubstratefor
SemiconductorEpitaxy
（征求意见稿）
在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。
XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施
发布
T/XXXXXXX—XXXX
目次
前言II
1范围1
2规范性引用文件1
3术语和定义1
4基本要求2
5技术要求3
6试验方法4
7检验规则5
8包装、运输和贮存6
9质量保证错误！未定义书签。
I
T/XXXXXXX—XXXX
前言
本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由××××提出。
本文件由中国中小商业企业协会归口。
本文件起草单位：×××、×××、×××。
本文件主要起草人：×××、×××、×××。
II
T/XXXXXXX—XXXX
半导体外延用碳化硅涂层石墨基座技术规范
1范围
本文件规定了半导体外延用碳化硅涂层石墨基座的基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包
装、运输和贮存等内容。
本文件适用于以高纯硅烷、高纯等静压石墨等为主要原料，经精密加工、纯化、化学气相沉积、表
面处理、清洗等工艺过程制备的超高纯半导体外延用碳化硅石墨基座制品。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，
仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本
文件。
GB/T2828.1—2012计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划
GB/T3634.2氢气第2部分：纯氢、高纯氢和超纯氢
GB/T4842氩
GB/T8718炭素材料术语
GB/T16534精细陶瓷室温硬度试验方法
GB/T16535精细陶瓷线热膨胀系数试验方法顶杆法
GB/T17991精细陶瓷术语
GB/T22588闪光法测量热扩散系数或导热系数
GB/T25995精细陶瓷密度和显气孔率试验方法
GB/T30903无机化工
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