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JXP5N06PRG
60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
DESCRIPTIONSCHEMATICDIAGRAM
TheJXP5N06PRGusesadvancedpowertrench
technologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgate
chargeandhighdensitycellDesignforultralow
on-resistance.Thisdeviceissuitableforuseasaload
switchorinPWMapplications.
GENERALFEATURES
I5A,V60V
DDS
RDS(ON)(Typ.)57mΩ@VGS10V
PINASSIGNMENT
RDS(ON)(Typ.)94mΩ@VGS4.5V
LowGateChargeSOT-89-3L
AdvancedHighCellDensityTrenchTechnology(TopView)
100%EASGuaranteed
APPLICATION
PowerManagementSwitches
DC/DCConverters
PACKAGE
SOT-89-3L
ORDERINGINFORMATION
PartNumberStorageTemperaturePackageMarkingDevicesPerReel
JXP5N06PRG-55°Cto+150°CSOT-89-3L5N061000
ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS
(T25℃unlessotherwisenoted)
A
ParameterSymbolLimitUnit
Drain-sourcevoltageVDS60V
Gate-sourcevoltageVGS±20V
T25°C5
A
Continuousdraincurrent(T150°C)aI
JD
T70°C4A
A
Pulseddraincurrentb
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