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靖芯JXP3400BMRG
STBCHIP30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
DESCRIPTIONSCHEMATICDIAGRAM
TheJXP3400BMRGusesadvancedtrench
D
technologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgate
chargeandhighdensitycellDesignforultralow
on-resistance.Thisdeviceissuitableforuseas
G
aloadswitchorinPWMapplications.
GENERALFEATURES
S
VDS=30V,ID=5.2A
RDS(ON)(Typ.)=35mΩ@VGS=2.5V
PINASSIGNMENT
RDS(ON)(Typ.)=30mΩ@VGS=4.5V
HighpowerandcurrenthandingcapabilitySOT23-3L
Leadfreeproductisacquired(TOPVIEW)
SurfacemountpackageD
3
APPLICATION
PWMapplicationsA09T
Loadswitch
PACKAGE12
GS
SOT23-3L
ORDERINGINFORMATION
PartNumberStorageTemperaturePackageMarkingDevicesPerReel
JXP3400BMRG-55°Cto+150°CSOT23-3LA09T3000
ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS
(TA=25℃unlessotherwisenoted)
parametersymbollimitunit
Drain-sourcevoltageVDS30V
Gate-sourcevoltage
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