JXP15N10G 100V N沟道增强型MOSFET TO252 深圳恒锐丰科技.pdf

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2025-03-20 发布于广东
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JXP15N10G 100V N沟道增强型MOSFET TO252 深圳恒锐丰科技.pdf

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靖芯JXP15N10G

STBCHIP100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

DESCRIPTIONSCHEMATICDIAGRAM

JXP15N10Gusesadvancedpowertrench

technologythathasbeenespeciallytailoredto

minimizetheon-stateresistanceandyetmaintain

superiorswitchingperformance.

GENERALFEATURES

ID=15A,VDS=100VS

RDS(ON)(Typ.)=70mΩ@VGS=10V

RDS(ON)(Typ.)=80mΩ@VGS=4.5V

PINASSIGNMENT

GreenDeviceAvailable

LowGateChargeTO-252-2L

AdvancedHighCellDensityTrenchTechnology(TopView)

100%EASGuaranteed

APPLICATION

PowerManagementSwitches

DC/DCConverters

PACKAGE

TO-252Note：XXYY—DateCode

ORDERINGINFORMATION

PartNumberStorageTemperaturePackageMarkingDevicesPerReel

JXP15N10G-55°Cto+150°CTO-252JXP15N102500

ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS

(T=25℃unlessotherwisenoted)

ParameterSymbolLimitUnit

Drain-sourcevoltageVDS100V

Gate-sourcevoltageVGS±20V

T=25°C15

Continuousdraincurrent(T=150°C)a

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