JXP20P10G 100V P沟道增强型MOSFET TO252 深圳恒锐丰科技.pdf

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2025-03-20 发布于广东
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JXP20P10G 100V P沟道增强型MOSFET TO252 深圳恒锐丰科技.pdf

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靖芯JXP20P10G

STBCHIP100VP-ChannelEnhancementModeMOSFET

DESCRIPTIONSCHEMATICDIAGRAM

JXP20P10GusesadvancedpowertrenchS

technologythathasbeenespeciallytailoredto

minimizetheon-stateresistanceandyetmaintain

superiorswitchingperformance.

GENERALFEATURES

ID=-20A,VDS=-100V

RDS(ON)(Typ.)=75mΩ@VGS=-10V

RDS(ON)(Typ.)=85mΩ@VGS=-4.5V

PINASSIGNMENT

GreenDeviceAvailable

LowGateCharge

AdvancedHighCellDensityTrenchTechnology

100%EASGuaranteed

APPLICATION

PowerManagementSwitches

DC/DCConverters

PACKAGE

TO-252Note：XXYY—DateCode

ORDERINGINFORMATION

PartNumberStorageTemperaturePackageMarkingDevicesPerReel

JXP20P10G-55°Cto+150°CTO-252JXP20P10/XXYY2500

ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS

(T=25℃unlessotherwisenoted)

ParameterSymbolLimitUnit

Drain-sourcevoltageVDS-100V

Gate-sourcevoltageVGS±20V

T=25°C-20

Continuousdraincurrent(T=150°C)aI

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