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半导体基础知识单选题100道及答案

1.下列哪种材料不属于常见的半导体材料？

A.硅

B.锗

C.铜

D.砷化镓

答案：C

解析：硅、锗、砷化镓是常见半导体材料，铜是导体，不是半导体材料。

2.半导体的导电性能介于：

A.导体和绝缘体之间

B.超导体和导体之间

C.绝缘体和超导体之间

D.以上都不对

答案：A

解析：半导体的导电性能特点就是介于导体和绝缘体之间。

3.在本征半导体中掺入五价杂质元素后形成：

A.P型半导体

B.N型半导体

C.纯净半导体

D.复合半导体

答案：B

解析：掺入五价杂质元素会使半导体中自由电子增多，形成N型半导体。

4.半导体的电阻随温度升高而：

A.增大

B.减小

C.不变

D.先增大后减小

答案：B

解析：半导体具有负的温度系数，温度升高电阻减小。

5.以下哪种现象不是半导体的特性？

A.热敏性

B.光敏性

C.超导性

D.掺杂性

答案：C

解析：半导体有热敏、光敏、掺杂特性，超导性不是半导体特性。

6.P型半导体中的多数载流子是：

A.自由电子

B.空穴

C.离子

D.中子

答案：B

解析：P型半导体中空穴是多数载流子。

7.当给PN结加正向电压时，PN结会：

A.导通

B.截止

C.击穿

D.不确定

答案：A

解析：PN结加正向电压时导通。

8.以下哪种半导体器件主要用于整流？

A.二极管

B.三极管

C.场效应管

D.晶闸管

答案：A

解析：二极管具有单向导电性，常用于整流。

9.本征半导体中自由电子和空穴的数量关系是：

A.自由电子多于空穴

B.空穴多于自由电子

C.相等

D.不确定

答案：C

解析：本征半导体中自由电子和空穴数量相等。

10.半导体三极管工作在放大区时，发射结和集电结的偏置情况是：

A.发射结正偏，集电结反偏

B.发射结反偏，集电结正偏

C.发射结和集电结都正偏

D.发射结和集电结都反偏

答案：A

解析：三极管工作在放大区时发射结正偏，集电结反偏。

11.以下哪种半导体制造工艺用于在半导体表面形成绝缘层？

A.光刻

B.氧化

C.掺杂

D.刻蚀

答案：B

解析：氧化工艺可在半导体表面形成绝缘层。

12.当温度升高时，PN结的反向饱和电流会：

A.增大

B.减小

C.不变

D.先减小后增大

答案：A

解析：温度升高，PN结反向饱和电流增大。

13.在N型半导体中，少数载流子是：

A.自由电子

B.空穴

C.离子

D.质子

答案：B

解析：N型半导体中空穴是少数载流子。

14.以下哪种半导体器件可以实现电压控制电流？

A.二极管

B.三极管

C.场效应管

D.稳压管

答案：C

解析：场效应管是电压控制电流型器件。

15.半导体的禁带宽度与：

A.温度无关

B.材料有关

C.杂质浓度无关

D.光照强度有关

答案：B

解析：半导体禁带宽度与材料有关。

16.当PN结发生击穿时，以下说法正确的是：

A.一定损坏

B.可逆击穿可恢复

C.不可逆击穿也可恢复

D.都不会恢复

答案：B

解析：可逆击穿在去除击穿条件后可恢复。

17.以下哪种情况会使半导体的导电性增强？

A.降低温度

B.减少光照

C.掺入杂质

D.减小电压

答案：C

解析：掺入杂质可使半导体导电性增强。

18.P型半导体和N型半导体接触形成PN结时，会产生：

A.内电场

B.外电场

C.没有电场

D.交变电场

答案：A

解析：PN结形成时会产生内电场。

19.半导体三极管的电流放大系数β是指：

A.集电极电流与基极电流之比

B.基极电流与集电极电流之比

C.发射极电流与基极电流之比

D.发射极电流与集电极电流之比

答案：A

解析：β是集电极电流与基极电流之比。

20.以下哪种半导体器件常用于稳压？

A.二极管

B.三极管

C.场效应管

D.稳压管

答案：D

解析：稳压管主要用于稳压。

21.本征激发产生的自由电子和空穴：

A.数量不相等

B.成对出现

C.只产生自由电子

D.只产生空穴

答案：B

解析：本征激发时自由电子和空穴成对出现。

22.当给PN结加反向电压时，其空间电荷区会：

A.变宽

B.变窄

C.不变

D.先变窄后变宽

答案：A

解析：PN结加反向电压时空间电荷区变宽。

23.以下哪种半导体制造工艺用于将设计图案转移到半导体晶圆上？

A.光刻

B.氧化

C.掺杂

D.刻蚀

答案：A

解析：光刻用于图案转移。

24.在半导体中，载流子的运动方式不包括：

A.漂移运动

B.扩散运动

C.布朗运动

D.复合运动

答案：C

解析：载流子运动有漂移、扩散、复合运动，布朗运动不是载流