JXP6802MRG 30V双N沟道增强型MOSFET SOT23-6 深圳恒锐丰科技.pdf

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2025-03-21 发布于广东
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JXP6802MRG 30V双N沟道增强型MOSFET SOT23-6 深圳恒锐丰科技.pdf

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靖芯JXP6802MRG

STBCHIP30VDUALN-ChannelEnhancementModeMOSFET

DESCRIPTIONSCHEMATICDIAGRAM

TheJXP6802MRGusesadvancedtrench

technologytoprovideexcellentRDS(ON)andlow

gatecharge.Thisdeviceissuitableforuseasa

loadswitchorinPWMapplications.

GENERALFEATURES

VDS=30V，ID=3.8A

RDS(ON)(Typ.)=45mΩ@VGS=2.5V

PINASSIGNMENT

RDS(ON)(Typ.)=32mΩ@VGS=4.5V

HighpowerandcurrenthandingcapabilitySOT23-6L

Leadfreeproductisacquired(TOPVIEW)

SurfacemountpackageD1S1D2

654

APPLICATION

6802

PWMapplicationsXXYY

Loadswitch

123

PACKAGEG1S2G2

SOT23-6LXX—YearsCode

YY—WeekCode

ORDERINGINFORMATION

PartNumberStorageTemperaturePackageMarkingDevicesPerReel

JXP6802MRG-55°Cto+150°CSOT23-6L6802/XXYY3000

ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS

(T=25℃unlessotherwisenoted)

ParameterSymbolLimitUnit

Drain-sourcevoltageVDS30V

Gate-sourcevoltageVGS±20V

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