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【品利基金】品利基金第三代半导体SiCGaN行业投资报告.docx

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    氮化镓特性及发展历史

    主要半导体材料特性

    材料

    Si

    GaAs

    GaN

    SiC(4H)

    ZnO

    AlN

    β-Ga2O3

    金刚石

    禁带宽度Eg(eV)

    1.1

    1.43

    3.39

    3.0

    3.37

    6.2

    4.9

    5.5

    熔点

    (℃)

    1420

    1240

    2500

    2540

    1975

    2800

    1740

    4000

    电子迁移率

    (cm/Vs)

    1500

    8500

    1000

    800

    196

    300

    10-200

    2000

    空穴迁移率

    (cm/Vs)

    600

    400

    200

    50

    50

    14

    1800

    临界击穿电场Ec(MV/cm)

    0.3

    0.6

    3.3

    4.0

    14

    8

    10.0

    电子饱和

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