宏盛微半导体AP340N08MP.pdf

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AP340N08MP

85VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP340N08MPusesadvancedAPM-SGTⅠtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas10V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=85VI340A

DSD

RDS(ON)1.8mΩ@VGS=10V(Type：1.5mΩ)

Application

DC/DCConverter

LEDBacklighting

PowerManagementSwitches

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP340N08MPTO-247-3LAP340N08MPXXXYYYY360

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage85V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V340A

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V220A

IDMPulsedDrainCurrent960A

EASSinglePulseAvalancheEnergy2025mJ

IASAvalancheCurrent

该用户很懒，什么也没介绍

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