宏盛微半导体AP140N09PT.pdf

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AP140N09PIT

95VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP140N09P/Tusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas10V.

ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V95VI140A

DSD

RDS(ON)5.3mΩVGS10V（Type：4.3mΩ）

Application

Batteryprotection

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP140N09PTO-220-3LAP140N09PXXXYYYY1000

AP140N09TTO-263-3LAP140N09TXXXYYYY800

AbsoluteMaximumRatings(TC=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage95V

VGSGate-SourceVoltage±20V

ID@TC=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V140A

ID@TC=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V93A

IDMPulsedDrainCurrent480A

EASSinglePulseAvalancheEnergy650mJ

IASAvalan

该用户很懒，什么也没介绍

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