电力电子技术（第3版）第一二章xd.ppt

2.2升压斩波电路（Boost）升压斩波电路也称为Boost电路。升压斩波电路的输出电压总是高于输入电压。升压斩波电路的一个典型应用是用作单项功率因数校正（PDC）电路。电路中的电容C起滤波作用，二极管VD提供续流通道。2.2Boost电路-等效原理图2.2Boost电路-电流连续模式因为2.2Boost电路-电流临界断续模式当2.2Boost电路-电流临界断续模式当2.2Boost电路-电流断续模式2.2Boost电路-电流断续模式1.5GTR-静态工作特性图1-26GTR静态工作特性截止区放大区饱和区OIcib3ib2ib1ib1ib2ib3Uce1.5GTR-动态工作特性GTR开通时间ton为延迟时间td和上升时间tr之和。td主要是由发射结势垒电容和集电结势垒电容充电产生的，增大IB1的幅值并增大diB/dt，可缩短td和tr，从而加快开通过程。iBiB1.5GTR-动态工作特性GTR关断时间toff为储存时间ts和下降时间tf之和。ts是用来除去饱和导通时储存在基区的载流子，是主要部分，减小导通时的饱和深度以减小储存的载流子，或增大基极抽取负电流IB2的幅值和负偏压，可缩短储存时间，加快关断速度。GTR开关时间在几微秒。1.5GTR-主要参数(1)最高工作电压UCEMGTR电压超过规定值时会发生击穿，击穿电压跟晶体管本身特性和外电路接法有关。UCEM比UCEO(基极开路时集射极间的击穿电压)低得多。(2)集电极最大允许电流ICM电流放大倍数β降到规定值的1/2～1/3时所对应的IC为集电极最大允许电流。实际使用时要留有裕量，一般只能用到ICM的一半或稍多一点。(3)集电极最大耗散功率PCM集电极最大耗散功率是指在最高工作温度下允许的耗散功率，它等于集电极工作电压与集电极工作电流的乘积。工作温度每增加20℃，平均寿命大约下降一个数量级，有时会因温度过高而使GTR迅速损坏。(4)最高结温TJMGTR的最高结温与半导体材料的性质、器件制造工艺和封装质量有关。一般情况下，塑封硅管的TJM为125～150℃，金封硅管的TJM为150～170℃，高可靠平面管的TJM为170～200℃。1.5GTR-二次击穿现象与安全工作区1、二次击穿现象当GTR的集电极电压升高至击穿电压时，IC迅速增大，这种击穿首先出现的是雪崩击穿，又称为一次击穿。在实际应用中常常发现当一次击穿发生时，IC增大到某个临界点时会突然急剧上升，并伴随电压的陡然下降，这种现象称为二次击穿。二次击穿是GTR特有的现象，持续时间很短，常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变，对GTR危害极大，必须避免。2、安全工作区对于GTR而言，把不同基极电流下二次击穿的临界点连接起来，构成一条二次击穿临界线，临界线上各点反映了二次击穿功率PSB。为了保证GTR正常工作，GTR最大工作电流不能超过集电极的ICM，最大耗散功率不能超过集电极允许的PCM，工作电压不能超过最高电压UCEM，同时也不能超过二次击穿临界线。这些限制条件构成了GTR的安全工作区。1.6功率场效应晶体管(PowerMOSFET)PowerMOSFET是一种单极型电压全控器件，具有输入阻抗高、工作速度快、驱动功率小且电路简单、热稳定性好、无二次击穿问题、安全工作区宽等优点，在各类开关电路中应用极为广泛。◆电力MOSFET的种类?按导电沟道可分为P沟道和N沟道。?当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道的称为耗尽型。?对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道的称为增强型。?在电力MOSFET中，主要是N沟道增强型。1.6功率场效应晶体管(PowerMOSFET)1.6PowerMOSFET-静态特性(1)当UGSUT(开启电压)时，功率MOSFET工作在截止区；(2)当UGSUT，当器件工作在器件饱和区时，随着UDS的增大，ID几乎不变，只有改变UGS才能使ID发生变化。(3)而在正向电阻区，功率MOSFET处于充分导通状态，UGS和UDS的增加都可使ID增大，器件如同线性电阻。正常工作时，随UGS的变化，功率MOSFET在截止区和正向电阻区间切1.6PowerMOSFET-动态特性开通时间ton是延迟时间、电流上升时间与电压下降时间之和。延迟时间td(on)从驱动电压前沿时刻到iD达到稳态电流ID的10％。电流上升时间tri为漏极电流iD从10％ID到90%ID的时间。电压下降时间tfv为漏