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一种发光二极管芯片的测试方法--第1页

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN110544641A

(43)申请公布日2019.12.06

(21)申请号CN201810524170.8

(22)申请日2018.05.28

(71)申请人山东浪潮华光光电子股份有限公司

地址261061山东省潍坊市高新区金马路9号

(72)发明人李晓明单立英肖成峰任忠祥

(74)专利代理机构济南金迪知识产权代理有限公司

代理人杨树云

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种发光二极管芯片的测试方法

(57)摘要

本发明涉及一种发光二极管芯片的

测试方法，包括：A、制备发光二极管芯

片，包括步骤如下：(1)在导电衬底上生长

发光二极管芯片外延层；发光二极管芯片

外延层包括DBR、有源区、窗口层；(2)在

步骤(1)制得的发光二极管芯片外延层上制

备P电极；(3)在制得的发光二极管芯片外

延层表面制备若干个分割槽，所述分割槽

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一种发光二极管芯片的测试方法--第2页

贯通整个所述发光二极管芯片外延层延伸

至所述导电衬底；(4)对导电衬底减薄，并

生长N电极；B、测试发光二极管芯片。

本发明既保证GaAs基发光二极管芯片发

光区的完整性，且测试结果与制备完成

GaAs基发光二极管芯片结果完全一致，避

免了因不一致造成的下游客户端质量问

题，提升了芯片的品质。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

发明专利申请公布后的驳回

IPC(主分类):H01L21/66专利申发明专利申请公布后

2023-01-13

请号:2018105241708申请公布的驳回

日

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权利要求说明书

1.一种发光二极管芯片的测试方法,其特征在于,包括:

A、制备发光二极管芯片,包括步骤如下:

(1)在导电衬底上生长发光二极管芯片外延层;

(2)在步骤(1)制得的所述发光二极管芯片外延层上制备P电极;

(3)在制得的所述发光二极管芯片外延层表面制备若干个分割槽,所述分割槽贯通整

个所述发光二极管芯片外延层延伸至所述导电衬底;

(4)对所述导电衬底减薄,并生长N电极;

B、测试发光二极管芯片。

2.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片的测试方法,其特征在于,所述步骤B,

测试发光二极管芯片,包括步骤如下:

(5)将步骤A制得的所述发光二极管芯片放置在光电参数测试台上,使所述N电极朝

下放置在光电参数测试台面上,整个N电极面充当所述发光二极管芯片的N电