宏盛微半导体AP3N20SI.pdf

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AP3N20SI

180VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP3N20SIissiliconN-channelEnhanced

VDMOSFETs,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnology

whichreducetheconductionloss,improveswitching

performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor

canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem

miniaturizationandhigherefficiency.

GeneralFeatures

V=180VI=3A

DSD

RDS(ON)1800mΩ@VGS=10V（Type：1300mΩ）

Application

Automativelighting

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP3N20SISOT89-3LAP3N20SIXXXYYYY3000

AbsoluteMaximumRatings(TC=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage180V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃DrainCurrent,VGS@10V3.0A

I@T=100℃DrainCurrent,VGS@10V2.1A

PulsedDrainCurrent110A

IDM

P@T=25℃TotalPowerDissipation2W

该用户很懒，什么也没介绍

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