宏盛微半导体AP5N20D-H.pdf

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AP5N20D-H

200VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP5N20D-HissiliconN-channelEnhanced

VDMOSFETs,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnology

whichreducetheconductionloss,improveswitching

performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor

canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem

miniaturizationandhigherefficiency.

GeneralFeatures

VDS200V,ID5A

RDS(ON)600mΩ@VGS=10V（Type：530mΩ）HightVth

Application

UninterruptiblePowerSupply(UPS)

PowerFactorCorrection(PFC)

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP5N20D-HTO-252-3LAP5N20D-HXXXYYYY2500

AbsoluteMaximumRatingsT=25ºC,unlessotherwisenoted

SymbolParameterValueUnit

VDSSDrain-SourceVoltage(VGS=0V)200V

IDContinuousDrainCurrent5A

IDMPulsedDrainCurrent20A

VGSSGate-SourceVoltage±20V

EASSinglePulseAvalancheEnergy45mJ

IARAvalancheCurrent3A

EARRepetitiveAvalancheEnergy

该用户很懒，什么也没介绍

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