宏盛微半导体AP4N20MI.pdf

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AP4N20MI

200VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP4N20MIusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=200VI3.8A

DSD

RDS(ON)580mΩ@VGS=10V（Type：450mΩ）

Application

Automativelighting

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP4N20MISOT23-3LAP4N20MIXXXYYYY3000

AbsoluteMaximumRatings(TC=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage200V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃DrainCurrent,VGS@10V3.8A

I@T=100℃DrainCurrent,VGS@10V1.85A

PulsedDrainCurrent110A

IDM

P@T=25℃TotalPowerDissipation2W

P@T=25℃TotalPowerDissipation3

该用户很懒，什么也没介绍

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