宏盛微半导体AP200N15MP.pdf

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AP200N15MP

150VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP200N15MPusesadvancedAPM-SGTⅠtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas10V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=150VI200A

DSD

RDS(ON)7.2mΩ@VGS=10V(Type：6.2mΩ)

Application

DC/DCConverter

LEDBacklighting

PowerManagementSwitches

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP200N15MPTO-247-3LAP200N15MPXXXYYYY300

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage150V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V200A

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V140A

IDMPulsedDrainCurrent550A

EASSinglePulseAvalancheEnergy506mJ

IASAvalancheCurrent53.4

该用户很懒，什么也没介绍

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