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模拟电子技术(中南大学)智慧树知到答案章节测试2023年 .pdfVIP

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  • 2025-03-25 发布于山东
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模拟电子技术(中南大学)智慧树知到答案章节测试2023年 .pdf

    模拟电子技术(中南大学)智慧树知到答案章节测试2023年--第1页

    第一章测试

    1.BJT管的输入电阻比MOSFET的输入电阻高。

    A:错

    B:对

    答案:A

    2.稳压管的稳压作用是利用了PN结的反向截止特性。

    A:错

    B:对

    答案:A

    3.要实现BJT的放大作用，对发射结与集电结的要求是（）。

    A:发射结正偏，集电结反偏

    B:发射结反偏，集电结正偏

    C:发射结正偏，集电结正偏

    D:发射结反偏，集电结反偏

    答案:A

    4.工作在放大区的某晶体三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从

    1mA变为2mA，那么它的β约为（）。

    A:90

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