宏盛微半导体AP640P.pdf

1、本文档共7页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

AP640P(AP18N20P)

200VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP640PissiliconN-channelEnhanced

VDMOSFETs,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnology

whichreducetheconductionloss,improveswitching

performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor

canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem

miniaturizationandhigherefficiency.

GeneralFeatures

V=200VI=18A

DSD

RDS(ON)150mΩ@VGS=10V（Type：120mΩ）

Application

UninterruptiblePowerSupply(UPS)

PowerFactorCorrection(PFC)

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP640PTO-220-3LAP640PXXXYYYY1000

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

Value

SymbolParameterUnit

TO-220-3L

VDSSDrain-SourceVoltage(VGS=0V)200V

IDContinuousDrainCurrent18A

IDMPulsedDrainCurrent(note1)72A

VGSGate-SourceVoltage±20V

EASSinglePulseAvalancheEnergy(note2)340

该用户很懒，什么也没介绍

咨询Ta 进入空间

更多 >