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单击此处添加大标题内容晶体管的结构和符号结构和符号晶体三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把两块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，三个区引出相应的电极，分别为基极b、发射极e、集电极c。在电路中常用“V、VT或Q”加数字表示，三极管具有电流放大作用。晶体管的图形符号如图6-7b所示，符号中的箭头方向表示发射极及发射结正向偏置时的电流方向。2．晶体管三极管外形图6-8几种常见的晶体管的外形结构三极管分类(1)按材料分类三极管按材料可分为：硅三极管、锗三极管。(2)按导电类型分类三极管按导电类型可分为：PNP型和NPN型。锗三极管多为PNP型，硅三极管多为NPN型。(3)按用途分类按工作频率分为：高频管f3MHz、低频管f3MHz和开关三极管。按功率又分为：大功率Pc1W、中功率Pc在0.5～1W、小功率Pc0．5W三极管。二、晶体管三极管的电流分配和放大作用单击此处添加正文，文字是您思想的提炼，为了演示发布的良好效果，请言简意赅地阐述您的观点。您的内容已经简明扼要，字字珠玑，但信息却千丝万缕、错综复杂，需要用更多的文字来表述；但请您尽可能提炼思想的精髓，否则容易造成观者的阅读压力，适得其反。1．晶体管的工作电压三极管实现放大作用的外部条件是：发射结正向偏置、集电结反向偏置。晶体管有PNP型和NPN型，为保证其外部条件，两类晶体管工作时外加电源的极性是不同的。图6-9晶体管的工作电压NPNPNP三极管放大电路各元器件的作用图中电源UCC通过偏置电阻Rb为发射结提供正向偏置电压，进而产生基极电流，RC为集电极负载电阻，电源通过它为集电极提供电流，三极管V起电流的放大作用。NPN型三极管放大电路PNP型三极管放大电路项目一常用半导体元器件任务一半导体基本知识常用半导体元器件常用半导体元器件半导体元器件是电气设备、电器设备、家用电器设备等的主要器件。半导体元器件有二极管、三极管、集成电路等。任务一半导体的基本知识知识1导体、半导体、绝缘体物质按导电性能的不同，分为三在类，即导体、半导体、绝缘体。导体—导电性能良好的物质，如金、银、铜、铝、铁等。半导体—导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。常用的半导体的材料有硅、锗等。绝缘体—一般情况下不能导电的物质，如陶瓷玻璃、橡胶、塑料等。由于半导体的导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。导电性能很差，但受到光照射，或在纯净的半导体中掺入微量杂质，其导电性能大大增强。知识2本征半导体在纯净的半导体（硅、锗材料）掺入微量元素后就成为杂质半导体。杂质半导体掺入5价元素磷为Ｎ型半导体、和杂质半导体掺入3价元素硼为Ｐ型半导体。任务二ＰＮ结及单向导电性ＰＮ结的形成：是将Ｎ型半导体和Ｐ型半导体，采用特殊的制造工艺，使二块半导体的两边结合在一起，它们的交界面就形成ＰＮ结，ＰＮ结具有单向导电性。ＰＮ结ＰＮ结具有单向导电性：正偏：在ＰＮ结上加正向电压时，ＰＮ结电阻很小，正向电流较大，ＰＮ结处于导通状态。单击此处添加小标题01反偏：加反向电压时，ＰＮ结电阻很高，反向电流很小，ＰＮ结处于截止状态。单击此处添加小标题02二、二极管的结构和符号半导体二极管，其结构与图形如图，符号用D、VD表示。PN(阳极)外壳阴极引线阳极引线+-+-(阳极)(阴极)(阴极)a)b)VD二极管的结构与图形符号结构图形符号常见外形如下图常见外形图三、二极管伏安特性（电压与电流之间关系）二极管的主要特性是单向导电性，其伏安特性曲线如图所示。1）外加正向电压很小时，二极管呈现较大的电阻，几乎没有正向电流通过。曲线段（或段）称作死区，点（或）的电压称为死区电压，硅管的死区电压一般为0.5V，锗管则约为0.1V以下。1．正向特性二极管的正向电压大于死区电压后，二极管呈现很小的电阻，有较大的正向电流流过，称为二极管导通，如AB段特性曲线所示，此段称为导通段。从图中可以看出：硅管电流上升曲线比锗管更陡。二极管导通后的电压为导通电压，硅管一般为0.7V，锗管约为0.3V。2．反向特性1）当二极管