G2063 250V 1.5A 三相高低侧功率 MOSFET IGBT 驱动芯片 TSSOP20 深圳恒锐丰科技.pdf

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国硅集成电路技术（无锡）有限公司G2063

NSICTechnology(Wuxi)Co.,LTDVersion1.0,2023.04.20

G2063250V1.5A三相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片

1产品特性3产品概述

自举工作的浮地通道G2063是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，

最高工作电压为+250V

采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单

兼容3.3/5V输入逻辑

芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。

dV/dt耐受能力可达±50V/ns

S

Vs负偏压能力达-9VG2063逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL

栅极驱动电压范围5V至20V逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通

高、低侧电源4.5V欠压锁定

的死区逻辑。G2063的浮动通道可用于驱动高压侧N

高、低侧输入输出同相逻辑

沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。

防直通死区逻辑

为封装，可以在℃至℃温度范

--死区时间设定200nsG2063TSSOP20-40125

芯片传输延时特性围内工作。

--开通/关断传输延时Ton/Toff150ns/120ns

--延迟匹配时间小于50ns

宽温度范围-40~125°C器件信息

输出级拉电流/灌电流能力1.5A/1.8A零件号封装封装尺寸（标称值）

符合RoSH标准*

G2063TSSOP206.5mm4.4mm

简化示意图

2应用范围

电机控制

空调/洗衣机

通用逆变器

微型逆变器驱动

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