NSG0462UQ 带 LDO 的三相 PMOS+NMOS 半桥驱动芯片 DFN16 深圳恒锐丰科技.pdf

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国硅集成电路技术（无锡）有限公司NSG0462UQ

NSICTechnology(Wuxi)Co.,LTDVersion2.1,2022.09.01

NSG0462UQ带LDO的三相PMOS+NMOS半桥驱动芯片

1产品特性3产品概述

P/NMOS半桥式三相输出NSG0462UQ是一款三相高速功率MOSFET驱动器，

最高工作电压可达40V具有个通道，最高工作电压可达。采用高低压

640V

兼容3.3V、5V和15V输入逻辑兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。

dv/dt耐受能力可达±50V/ns逻辑兼容或输出，低至逻辑输入。

CMOSLSTTL3.3V

P/NMOS|V|可达10V

GS此外，采用内置死区功能来避免高压侧交叉导通。

内置5V/40mALDO为和输出门电源电压，

NSG0462UQPMOSNMOS10V

内置过温保护功能

为了简化PCB设计，NSG0462UQ中集成了一个

栅极驱动电压：

的，用于为或其他芯片供电。此

5V/40mALDOMCU

--5V至40V

外出于安全考虑，NSG0462UQ还集成了热关闭保护。

宽温度范围-40~125°C

防直通逻辑

--内置130ns死区时间

器件信息

芯片开通关断延时特性

零件号封装封装尺寸（标称值）

--Ton/Toff80ns/30ns

--高低侧延时匹配NSG0462UQQFN163mmx3mm

驱动电流能力：

--拉电流/灌电流=50mA/300mA

内置欠压锁定电路

--欠压锁定正向阈值4.5V简化示意图

--欠压锁定负向阈值4.3V

符合RoSH标准

QFN16

2应用范围

中小型功率电机驱动

功率MOSFET驱动

半桥/全桥电源转换器

任何互补驱动转换器

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