NSG2065Q 250V 集成自举的三相栅极驱动芯片 QFN24 深圳恒锐丰科技.pdf

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国硅集成电路技术（无锡）有限公司NSG2065Q

NSICTechnology(Wuxi)Co.,LTDVersion1.0,2023.08.31

NSG2065Q250V集成自举的三相栅极驱动芯片

1产品特性3产品概述

•自举工作的浮动通道NSG2065Q是一款三相高压功率MOSFET和IGBT栅极

•最高工作电压可达250V驱动器，可以同时驱动高侧和低侧功率晶体管的栅

•栅极驱动电压5V20V

~极。浮动通道驱动设计可以容纳总线电压高达250V。

•兼容3.3/5V输入逻辑NSG2065Q输出能够提供较大的驱动能力，输出拉灌

•dV/dt耐受能力可达±50V/ns

S电流可以到达1.2A/1.5A。NSG2065Q工作电压范围宽，

•Vs负偏压能力达-9V高、低侧栅极驱动电压都可经优化以达到最佳驱动

•输入输出同相位

效率。内部防直通和死区电路可以防止两个晶体管

•芯片开通关断延时

/

同时导通，进一步降低了开关损耗。NSG2065Q的欠

--Ton/Toff=150ns/150ns

压锁定功能确保了当供电电压较低时，两个驱动器

--高低侧延时匹配

输出都是低电平。NSG2065Q集成自举二极管，可最

•防直通保护

--死区时间：200ns大优化芯片外围电路。

•高、低侧欠压锁定电路

--欠压锁定正向阈值4.5V器件信息

--欠压锁定负向阈值4.3V

零件号封装封装尺寸（标称值）

•输出拉/灌电流能力：1.2A/1.5A

NSG2065QQFN244mm*4mm

•宽温度范围-40~125°C

•集成自举二极管

•符合RoSH标准

简化示意图

•采用QFN24封装

2应用范围

Motordriver

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