NSG2153DP 600V 自振荡半桥 MOSFET IGBT 驱动芯片 DIP8 深圳恒锐丰科技.pdf

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国硅集成电路技术（无锡）有限公司NSG2153(1)DP

NSICTechnology(Wuxi)Co.,LTDVersion1.0,2024.01.24

NSG2153(1)DP600V自振荡半桥MOSFET/IGBT驱动芯片

1产品特性3产品概述

集成50%占空比振荡器和半桥驱动器NSG2153(1)DP是一款集成了50%占空比振荡器的

C，R可编程振荡器600V半桥栅极驱动器，能够驱动N型MOSFET或

TT

V到COM之间有15.6V齐纳钳位IGBT器件。NSG2153(1)DP的CT端在低电压（1/6th

CC

微功耗启动V）时能够同时关断高低侧输出。当VCC电压低于

CC

C引脚非锁定关断（1/6thV）欠压阈值时，NSG2153(1)DP会将CT端电压拉低，同

TCC

半桥浮地通道最高工作电压为+600V时关闭高低侧输出。NSG2153(1)DP具有很强的输出驱

dV/dt耐受能力可达±50V/ns动能力，输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到+1.2A/-1.5A。

S

Vs负偏压能力达-9VNSG2153(1)DP内置死区逻辑，防止高低侧功率

欠压锁定（上升/下降）：MOSFET或IGBT器件直通。另外，NSG2153(1)DP集

--VCC为11/9V成有自举二极管，用于对高侧进行自举充电。

--VBS为9/8V

输出拉/灌电流能力为+1.2A/-1.5A

器件信息

内置死区时间：

零件号封装封装尺寸（标称值）

--NSG2153DP为1.1us

NSG2153(1)DPDIP84.9mm×3.9mm

--NSG21531DP为0.6us

集成自举二极管

功能框图

符合RoHS标准

2应用范围

电机控制与驱动

机器人及自动化

电动工具

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