《氮半导体材料基础》课件.pptVIP

氮半导体材料基础宽禁带半导体材料高电子迁移率

课程概述课程目标掌握氮半导体基础理论内容安排十章内容循序渐进学习要求

第一章：氮半导体材料简介定义含氮三五族化合物半导体发展历史从理论研究到产业化应用应用领域

氮半导体材料的特性宽禁带GaN3.4eV，AlN6.2eV高饱和电子速率达2.5×10^7cm/s高击穿电场

氮化镓（GaN）结构特征六方纤锌矿结构c轴晶格常数：5.186?电学性质禁带宽度：3.4eV电子迁移率：≤2000cm2/V·s光学性质直接带隙发光波长：紫外-蓝光区

氮化铝（AlN）1234结构特征六方纤锌矿结构晶格常数小于GaN电学性质禁带宽度：6.2eV绝缘性好光学性质直接带隙深紫外发光热学性质高热导率低热膨胀系数

氮化铟（InN）结构特征六方纤锌矿结构晶格常数大于GaN电学性质禁带宽度：0.7eV高电子迁移率光学性质直接带隙红外区发光

三元化合物半导体1AlGaN禁带宽度可调：3.4-6.2eV2InGaN发光波长可调：紫外至红外3AlInN可与GaN晶格匹配

第二章：氮半导体材料的晶体结构1六方晶系纤锌矿结构，非中心对称2立方晶系闪锌矿结构，中心对称3多型结构同一物质不同晶型共存

六方晶系结构a晶格常数：3.189?c晶格常数：5.186?Ga-N键长：1.94?

立方晶系结构1晶格常数a=4.52?2原子排列四面体配位3面指数(001)、(110)、(111)4生长条件特殊衬底、低温

缺陷类型点缺陷空位、间隙原子、杂质线缺陷位错、螺位错、混合位错面缺陷堆垛层错、晶界、异相界面

应力和应变3.4%GaN/AlN失配度晶格常数差异导致11%GaN/InN失配度引起高密度缺陷17%GaN/Si失配度异质外延主要挑战

第三章：氮半导体材料的能带结构能带理论基础布洛赫函数k·p理论直接带隙动量守恒高光电转换效率能带计算方法紧束缚近似密度泛函理论

GaN的能带结构禁带宽度3.4eV（室温）随温度变化：-6×10??eV/K有效质量电子：0.20m?重空穴：1.4m?能谷Γ点导带底L、M卫星谷

AlN的能带结构禁带宽度6.2eV（室温）1有效质量电子：0.31m?2能谷Γ点导带底3价带分裂强自旋-轨道耦合4

InN的能带结构禁带宽度0.7eV（室温）有效质量电子：0.07m?能谷Γ点导带底

三元化合物的能带弯曲效应In/Al含量InGaN禁带宽度AlGaN禁带宽度

第四章：氮半导体材料的载流子输运漂移在电场作用下定向运动扩散浓度梯度驱动随机运动复合电子-空穴对消灭

电子迁移率2000体GaN（cm2/V·s）室温下理论极限1500异质结构（cm2/V·s）二维电子气200实际器件（cm2/V·s）受散射机制限制

空穴迁移率

散射机制1声子散射高温下占主导2杂质散射低温下显著3合金散射三元、四元化合物中4位错散射高缺陷密度材料

高电场效应速度饱和约2.5×10?cm/s热电子效应非平衡能量分布雪崩击穿约3.3MV/cm区间转移Γ到L能谷跃迁

第五章：氮半导体材料的光学性质吸收带边吸收激子吸收发射自发辐射受激辐射折射正常色散异常色散

吸收系数光子能量(eV)GaN吸收系数(10?cm?1)InGaN吸收系数(10?cm?1)

发光机制带间跃迁导带→价带直接复合激子复合电子-空穴对束缚态缺陷相关发光深浅能级参与量子阱发光异质结构能级跃迁

折射率材料折射率（可见光）色散关系GaN2.3-2.5Sellmeier方程AlN2.1-2.2Cauchy方程InN2.8-3.0Sellmeier方程AlGaN2.1-2.5组分相关InGaN2.3-3.0组分相关

极化效应0.029GaN自发极化（C/m2）非中心对称结构0.081AlN自发极化（C/m2）离子性更强1.8GaN压电常数（C/m2）应变诱导极化

第六章：氮半导体材料的生长技术体材料生长氨热法、高压法薄膜外延MOCVD、MBE、HVPE纳米结构生长自组织、选择区域

金属有机化学气相沉积（MOCVD）1反应前驱体TMGa、TMAl、TMIn、NH?2反应温度1000-1100℃3反应压力10-100Torr4优势高生长速率、批量生产

分子束外延（MBE）反应源固态Ga、Al、In，等离子N生长温度600-800℃真空度10?1?Torr超高真空优势原子级界面、实时监测

氢化物气相外延（HVPE）反应前驱体GaCl、AlCl?、NH?HCl气体与金属Ga反应工艺参数温度：950-1050℃压力：常压特点与应用高生长速率（100μm/h）用于制备厚GaN模板

氨热法原理超临界NH?溶剂温度梯度引起溶解-结晶工艺参数压力：100MPa温度：400-600℃特点低位错密度大尺寸晶体可能性

生长缺陷控制位错外延侧向生长（ELO）堆垛层错应变工程、缓冲层优化反相畴衬底表面处