基于MOS积累层导电的SiC二极管：原理设计与应用的深度剖析.docx

基于MOS积累层导电的SiC二极管：原理、设计与应用的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今半导体技术飞速发展的时代，碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料的杰出代表，凭借其卓越的性能，如禁带宽度为硅的3倍，击穿电场强度高达硅的10倍，热导率是硅的2.5倍，电子饱和速率为硅的2倍等优势，在半导体领域占据着愈发重要的地位，成为了众多研究的焦点。

SiC二极管作为SiC材料的重要应用之一，在电力电子领域发挥着关键作用。传统的硅基二极管在面对高压、高温、高频等严苛工作条件时，往往显得力不从心，难以满足现代工业日益增长的需求。而SiC二极管却能在这些极端条件