磁电式传感器.ppt

（3）磁芯绕线法这种方法如下图所示。它由标准环形导磁铁芯和SL3501M霍尔线性集成传感器组合而成。SL3501M通电导线导磁铁心I被测通电导线绕在导磁铁芯上，每1安1匝在气隙处可产生0.0056T的磁感应强度。若测量范围是0~20A时，则导线绕制9匝便可产生约0.1T的磁感应强度，SL3501M会有1.4V的电压输出。第五章磁电式传感器第31页，共43页，星期日，2025年，2月5日关于磁电式传感器第1页，共43页，星期日，2025年，2月5日§5-1霍尔传感器霍尔传感器是利用霍尔元件基于霍尔效应原理而将被测量，如电流、磁场、位移、压力等转换成电动势输出的一种传感器。一、霍尔效应霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的物理效应。置于磁场中的静止载流体中，若电流方向与磁场方向不相同，则在载流体的垂直于电流与磁场方向所组成的两个侧面将产生电动势。这一现象为美国物理学家爱德文·霍尔于1879年发现，称为霍尔效应，相应的电动势称为霍尔电势。第五章磁电式传感器第2页，共43页，星期日，2025年，2月5日bdVHIlBvF′F－＋＋－称为霍尔系数，它是由基片材料的物理性质决定常数；灵敏度系数，表示在单位磁感应强度和单位控制电流时的霍尔电势大小。当磁场感应强度B和霍尔片平面法线成角度θ时,霍尔电势为：第五章磁电式传感器设为N型半导体，载流子为电子。第3页，共43页，星期日，2025年，2月5日霍尔式传感器是利用霍尔元件基于霍尔效应原理而将被测量，如电流、磁场、位移、压力等转换成电动势输出的一种传感器。优点：结构简单，体积小，坚固，频率响应宽，动态范围大,无触点,使用寿命长,可靠性高,易微型化和集成电路化。不足：温度影响大，要求转换精度较高时必须进行温度补偿。第五章磁电式传感器第4页，共43页，星期日，2025年，2月5日霍尔元件砷化钠霍尔器件

温度系数小，灵敏度高，线性度好，温漂小，稳定性高，体积小

第五章磁电式传感器第5页，共43页，星期日，2025年，2月5日二、霍尔片主要技术指标1、额定激励电流IH使霍尔片温升10℃所施加的控制电流值。（限制额定激励电流的主要因素是散热条件）2、输入电阻Ri控制电极间的电阻值，规定在室温（20±5℃）的环境温度中测取。指霍尔电极间的电阻值，规定在（20±5℃）条件下测取。3、输出电阻RS第五章磁电式传感器第6页，共43页，星期日，2025年，2月5日4、不等位电势V0及零位电阻r0当控制磁感应强度为零，控制电流为额定值IH时，霍尔电极间的空载电势称为不等位电势（或零位电势）。第五章磁电式传感器不等位电势也可用不等位电阻表示：—零位电阻第7页，共43页，星期日，2025年，2月5日产生不等位电势的原因主要是：①霍尔电极安装位置不正确（不对称或不在同一等电位面上）；②半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或是几何尺寸不均匀；③控制电极接触不良造成控制电流不均匀分布等。（均是制造工艺造成的）第五章磁电式传感器第8页，共43页，星期日，2025年，2月5日三、霍尔片的电路1、不等位电势的补偿由于不等位电势与不等位电阻是一致的，因此可以用分析其电阻的方法来进行补偿。第五章磁电式传感器第9页，共43页，星期日，2025年，2月5日ABCDIR1R2R3R4补偿原理：将R1、R2、R3、R4其视为电桥的四个臂，即电桥不平衡，为使其平衡可在阻值较大的臂上并联电阻，或在两个臂上同时并联电阻。图中A、B为控制电极，C、D为霍尔电极，在极间分布的电阻用R1、R2、R3、R4表示，理想情况是R1＝R2＝R3＝R4，即零位电势为零（或零位电阻为零）。但实际上存在着零位电势，则说明此四个电阻不等。第五章磁电式传感器第10页，共43页，星期日，2025年，2月5日第五章磁电式传感器第11页，共43页，星期日，2025年，2月5日2、温度补偿霍尔片是采用半导体材料制造的，因此它们的许多参数都具有较大的温度系数。如半导体材料的电阻率，迁移率和载流子浓度等都随温度而变化。霍尔片的性能参数如输入和输出电阻，霍尔