电子技术基础重点(部分).docVIP

电子技术基础重点概念（大部分）

将模拟信号转化成数字信号的电路称为模数转化器，简称ADC。将数字信号转化成模拟信号的电路，称为数模转换器，简称DAC。ADC和DAC转换电路已成为信息系统中不可缺少的接口电路。

弱电一般是用来进行信号处理的，电压和电流都很小，而强电则是用来驱动大功率电力设备的。

MPEG：活动图像专家组，此处指活动语音压缩标准。

ASI：专用集成电路。

无线充电系统主要采用电磁感应原理。

1906年，LEEDEFOREST发明了电子三极管，里程碑。

片上系统：SOC。SYSTEMONCHIP。把整个系统制作在一个集成电路芯片上，完整的系统功能可以集成在一起，满足系统功能和技术指标的要求。

所谓集成电路，就是把半导体和电阻电容做在同一块硅片上，封装为一个具有多个引出端的电子器件，他能够独立的或者与少数其他元件配合起来，共同完成某种或某些功能，实现了材料元件和电路的三合一。

MEMS：微机电系统。与片上系统，真空微电子技术，神经网络芯片和生物芯片和量子集成电路是研究热点。

导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，称之为半导体，在电子器械中常用的半导体材料有硅和锗。半导体有如下特点，一，导电能力介于绝缘体和导体之间。二受到外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著变化。三在纯净半导体中加入微量的杂质，其导电能力会急剧增强。

纯净的半导体称为本征半导体。

半导体中存在两种两种载流子。电子和空穴。

利用本征半导体的特性，可以制成热敏器件和光敏器件，例如热敏电阻和光敏电阻等，其阻值可以随温度的高低和光照射的强弱而变化。

在本征半导体硅中，掺入微量五价杂质元素如磷锑砷等。形成N型半导体。这种半导体以电子导电为主。在本征半导体硅中插入微量的三价元素，如硼镓铟等元素。形成P型半导体。这种半导体已空穴导电为主。

多数载流子的浓度取决于掺杂浓度。而少数载流子的浓度受温度影响较大。

16、如果一块半导体的两部分，分别掺杂形成P型半导体和N型半导体，在它们的交界处就形成PN结，交界面处存在载流子浓度的差异，会引起载流子的扩散运动，再内电场的作用下，P区的少子电子向N区移动，N区的少子空穴向P区移动，这种在内电场作用下的载流子作用，称为漂移运动。P型半导体和N型半导体的交界面也存在着两种相反的运动，多子的扩散和少子的漂移。在PN结内会形成空间电荷区，又称为耗尽层。

17、正向偏置——PN结低阻导通。正向电流由两部分组成，即电子电流和空穴电流，虽然电子和空穴的运动方向相反，但形成的电流方向一致。

反向偏置——PN结高阻截指。反向饱和电流是由少子产生的，因此对温度变化非常敏感。

综上所述，PN结具有单向导电性，正向偏置时呈导通状态，反向偏置时呈截止状态状态。

二极管按结构分为点接触型，面接触型，平面型三大类。

死区电压，一般硅二极管约为0.5伏，锗二极管约为0.1伏。正向导通电压，硅二极管一般为0.7伏则二极管，一般为0.2伏。

当反向电压增大超过一个值时，反向电流急剧增大，此时二极管失去了单向导电性，这种现象叫反击穿，属于电击穿反，击穿后电流很大，电压也很高，因而消耗在二极管上的功率很大，容易使PNG发热而超过他的耗散功率产生热击穿。在强电场作用下，空穴和电子数量增多，使反向电流急剧增大，此时二极管失去单向导电性，反击穿可分为雪崩击穿和齐纳击穿。

最大整流电流Ir是二极管长期运行，允许通过的最大正向平均电流。Vrm反向峰值电压。是指允许加在二极管上的反向电压的最大值。通常规定最高反向电压，工作电压约为击穿电压的一半。

二极管在电子技术中有着广泛的应用，它可以用于整流、检波、开关元件、稳压、限幅（削波）、钳位。

实际中可以认为电容充分充放电的时间为时间常数的五倍。

（1）稳定电压Vz：是稳压管正常工作时，管子两端的反向电压，由于制造工艺等方面的原因，即使同一型号的稳压管，其稳定电压也不相同，因此使用时需要测定该值。（2）动态电阻Rz：动态电阻是指稳压管两端电压的变化量与相应电流变化量的比值即Rz=Vz/Iz。动态电阻越小，则稳压性能越好，其特性曲线越陡直。

三极管三个电极分别叫做发射极E基极B集电极C。三个电极对应的每一层半导体分别称作发射区、基区、集电区。

三极管种类很多，按照制造材料分为锗管与硅管。两种管子特性大致相同，硅管受温度影响较小，工作稳定。晶体三极管应用主要分为两个方面：1）利用饱和截止状态使BJT作为一个可控制的无触点开关。2）工作在放大状态，用作放大器。

三极管处于放大状态的工作条件。（1）制造时应使发射区的掺杂浓度比较高，基区做得很薄，且浓度远远低于发射区，要求几点截面积大，掺杂浓度更低。（2）外加电压，必须保证发射结正偏集，电结反偏。对于NPN管来说，要求B大于E。C大于B。对于PNP管来说要求B小于E。C小