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二極體的結構平面型(3)平面型二極體—往往用於積體電路製造工藝中。PN結面積可大可小，用於高頻整流和開關電路中。(2)面接觸型二極體—PN結面積大，用於工頻大電流整流電路。面接觸型*1.2.2半導體二極體的伏安特性曲線半導體二極體的伏安特性曲線如圖所示。處於第一象限的是正向伏安特性曲線，處於第三象限的是反向伏安特性曲線。*二極體的伏安特性曲線根據理論推導，二極體的伏安特性曲線可用下式表示式中IS為反向飽和電流，V為二極體兩端的電壓降，VT=kT/q稱為溫度的電壓當量，k為玻耳茲曼常數，q為電子電荷量，T為熱力學溫度。對於室溫（相當T=300K），則有VT=26mV。*矽二極體的開啟電壓Von=0.5V左右，鍺二極體的開啟電壓Von=0.1V左右。當0＜V＜Von時，正向電流為零，Von稱為死區電壓或開啟電壓。當V＞0即處於正向特性區域。正向區又分為兩段：當V＞Von時，開始出現正向電流，並按指數規律增長。(1)正向特性*當V＜0時，即處於反向特性區域。反向區也分兩個區域：當VBR＜V＜0時，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時的反向電流也稱反向飽和電流IS。當V≥VBR時，反向電流急劇增加，VBR稱為反向擊穿電壓。(2)反向特性*反向特性在反向區，矽二極體和鍺二極體的特性有所不同。矽二極體的反向擊穿特性比較硬、比較陡，反向飽和電流也很小；鍺二極體的反向擊穿特性比較軟，過渡比較圓滑，反向飽和電流較大。從擊穿的機理上看，矽二極體若|VBR|≥7V時,主要是雪崩擊穿；若|VBR|≤4V時,則主要是齊納擊穿。當在4V～7V之間兩種擊穿都有，有可能獲得零溫度係數點。*2.3.4半導體二極體的溫度特性溫度對二極體的性能有較大的影響，溫度升高時，反向電流將呈指數規律增加，如矽二極體溫度每增加8℃，反向電流將約增加一倍；鍺二極體溫度每增加12℃，反向電流大約增加一倍。近似認為二極體管溫度每增加10℃，反向電流大約增加一倍另外，溫度升高時，二極體的正向壓降將減小，每增加1℃，正向壓降大約減小2mV，即具有負的溫度係數。這些可以從所示二極體的伏安特性曲線上看出。*1.2.3半導體二極體的參數半導體二極體的參數包括最大整流電流IF、反向擊穿電壓UBR、最大反向工作電壓UR、反向電流IR、最高工作頻率fmax和結電容Cj等。幾個主要的參數介紹如下：(1)最大整流電流IF——二極體長期連續工作時，允許通過二極管的最大整流電流的平均值。(2)反向擊穿電壓UBR———和最大反向工作電壓UR二極體反向電流急劇增加時對應的反向電壓值稱為反向擊穿電壓UBR。為安全計，在實際工作時，最大反向工作電壓UR一般只按反向擊穿電壓UBR的一半計算。*半導體二極體的參數(3)反向電流IR:在室溫下，在規定的反向電壓下，一般是最大反向工作電壓下的反向電流值。矽二極體的反向電流一般在納安(nA;10-9A)級；鍺二極體在微安(?A)級。(4)正向壓降UF：在規定的正向電流下，二極體的正向電壓降。小電流矽二極體的正向壓降在中等電流水準下，約0.6～0.8V；鍺二極體約0.2～0.3V。(5)動態電阻rd：反映了二極體正向特性曲線斜率的倒數。顯然，rd與工作電流的大小有關，即rd=?VF/?IF*2.3.6二極體電路及其分析方法簡單的二極體電路如圖所示，由二極體、電阻和電壓源組成，其分析方法一般有兩種：圖解法、模型法（等效電路法）。*IOVBRIS1.圖解法圖示電路可分為A、B兩部分。A部分的電壓與電流關係：VD=V-IRB部分的電壓與電流關係就是二極體的伏安特性。在二極體的伏安特性上畫出VD=V-IR，如圖所示：(V,0)RV(0,)QIDVD最後得出二極體兩端的電壓VD和流過二極體的電流I，如圖所示。*2.模型分析法(1)二極體的大信號模型： 根據二極體伏安特性，可把它分成導通和截止兩種狀態。如圖所示，VD0.7V截止VD0.7V導通VD0.2V截止VD0.2V導通這就是二極體的大信號模型。矽管鍺管*大信號模型所以二極體導通時，其上的電壓和流過它的電流可