半导体器件课件.pptVIP

4.1.1N溝增強型1)器件結構溝道寬度W：源漏區的寬度。溝道長度L：源漏區的間距。MOS管的重要結構參數寬長比：W/L。在一定的工藝下，寬長比是器件設計者唯一可改變的物理參量，去控制MOS管的電學性能。2）MOS管的工作原理利用“感應電荷”來控制MOS管的導電。MOS管的三層結構相當於一個平板電容，當改變柵壓時可以改變電容電荷量。(1)“反型層”的形成機制將S、D接地，在柵、源之間加上一個正向偏壓VGS。a.當VGS=0時，源漏之間有一個n+pn+結構存在，因此源漏之間不能導通。b)當VGS0，但是VGS較小時，柵下產生一個電場，形成耗盡區，S、D之間依然不能導通。該電場“排斥”空穴，“吸引”電子。c)當VGS足夠大時，將有足夠多的電子被“吸引”而聚集在柵下，形成一個電子的薄層，稱“反型層”，也叫“溝道”，此時源漏之間連通。閾值電壓（ThresholdVoltage)，開啟電壓當“反型層”形成時所需的柵源電壓差。對特定的工藝生產和製備的MOS管，閾值電壓是一個定值。“反型層”形成的能帶變化半導體器件電子電路中，所有元器件可分為兩大類：１、無源器件：電阻(Resistor)、電容(Capacitor)、電感(Inductor)和二極體(Diode)。僅由無源器件構成的電路不能實現電信號的放大。２、有源器件：電晶體(Transistor)，是所有放大電路的核心器件。從參與導電的載流子類型上又可以分為雙極和單極兩類器件：１）雙極電晶體(BipolarTransistor)，習慣簡稱三極管或電晶體。２）場效應電晶體(FieldEffectTransistor,)，從結構上又可分為：a)MOSFET（金屬—氧化物—半導體場效應電晶體）b)JFET（結型場效應電晶體）１、半導體(SemiConductor)材料的特性。半導體：導電性能介於導體和絕緣體材料之間的材料。單質元素半導體只有矽(Si,Silicon)和鍺(Ge,germanium)兩種材料。矽：IV族元素，原子序數14，外層電子軌道分三層，分別有2、8、4個電子，最外層價電子數為4。單晶矽：矽外層電子和其他矽原子的電子形成共價鍵，有序排列起來，就形成晶體矽。EV：價帶EC：導帶Eg：禁帶EF：費米能級Ei：本征能級矽單晶中原子的有序排列，形成能帶結構。室溫下不同半導體材料的禁帶寬度（Eg）Si1.12evGe0.66evGaAs1.42ev不含有雜質的純淨半導體材料稱本征半導體，在能帶結構中沒有其他的能級。1.1本征半導體本征半導體的導電能力很弱。1）在T=0K時，半導體不導電，同絕緣體一樣。2）在T=300K時，Si的電阻率為2.3?105??cm，Ge為47??cm本征半導體的導電機制：1）熱運動使少量的共價電子擺脫束縛，成為可以在晶格中自由運動的“自由電子”參與導電。2）斷裂的共價鍵處留下一個帶正電的“空穴”，其他共價鍵上的電子可以填補“空穴”，在宏觀上““空穴”也可以自由運動，參與導電。”電子“和”空穴“統稱載流子複合：電子和空穴相遇時消失。在熱平衡狀態下，”電子“—”空穴“對的產生和複合作用達到一個平衡，宏觀上有一定濃度的”電子“—”空穴“對存在，這些載流子稱本征載流子，記為ni。1.2摻雜半導體在半導體材料中引入特定的雜質，可以改變材料的性能。1）N(Negative)型半導體在半導體材料中引入P、As、Sb等V族元素。2）P(Postive)型半導體在半導體材料中引入B、Al、Ga、In等III族元素。P原子最外層有5個價電子，佔據晶格位置後4個電子與矽原子形成共價鍵，多餘的一個電子成為”自由電子“，可以參與導電。P原子摻入矽中後，在禁帶中靠近導帶底部引入了淺能級，這些淺能級中的電子很容易激發到導帶中去，形成“自由電子”，參與導電。B原子最外層有3個價電子，佔據晶格位置後3個電子都與矽原子形成共價鍵，周圍的矽原子有一個電子無法形成共價鍵，留下一個帶正電的“空穴”，可以參與導電。B原子摻入矽中後，在禁帶中靠近價帶頂部引入了淺能級，價帶中的電子很容易激發到這些淺能級