半导体器件及整流电路课件.pptVIP

ICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作區由三個極限參數可畫出三極管的安全工作區1.6.4三極管開關特性在數字電路中，三極管作為最基本的開關元件，工作在截止區和飽和區。輸入高電平時，管子導通飽和，輸出低電平；輸入低電平時，管子反相截止，輸出高電平。三極管起一個反相器的作用。（構成非門）（一）、飽和導通條件：臨界飽和時UCE=UCESIC=ICSIB=IBS若IB＞IBS≈UCC/βRC管子一定飽和導通飽和導通時UBE≈0.7vUCE=UCES≤0.3v（矽管）管子如一個合上的開關。（二）、截止條件：UBE≤0.5V（矽管）管子截止。此時IB≈0IC≈0UCE≈UCC管子如一個打開的開關。*三極管的開關特性uiRB+UCCRCTuouo+UCCRCCE。。+UCC。。RCCEuo飽和導通，截止3V0Vuo?0相當於開關斷開相當於開關閉合uo?UCC三、開關時間導通與截止的轉換時間稱開關時間。1、開啟時間ton：由截止轉換為飽和的時間。由截止IC=0跳變到IC=0.1Cmax導通的延遲時間td和導通到飽和IC=0.9ICmax的上升時間tr組成。ton=td+tr2、關閉時間toff：由飽和轉換為截止的時間。由飽和Icmax轉為導通IC=0.9ICmax的存儲時間ts和導通跳變到截止IC=0.1Cmax的下降時間tf組成。toff=ts+tf三極管的開關時間一般為納秒級，其中存儲時間ts是影響三極管開關速度的關鍵參數。*三極管開關時間的波形：前一頁後一頁A0.9A0.5A0.1AtptrtfT脈衝幅度A延遲時間td,上升時間tr，開啟時間ton=td+tr脈衝週期T存儲時間ts,下降時間tf，關閉時間toff=ts+tf脈衝寬度tp返回*1.7場效應電晶體（FET）場效應管也是一種由PN結組成的半導體，因是利用電場效應來控制電流的故稱為場效應管。和TTL比較，其主要特點是：輸入電阻大；受溫度影響小，熱穩定性好；雜訊低；易於集成化。因而獲得廣泛運用。按內部結構的不同，分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵型場效應管（IGFET）二大類。最常用的絕緣柵型場效應管是由金屬-氧化物-半導體材料構成，簡稱MOS管。由P溝道、N溝道構造的PMOS和NMOS二種類型。其中每一類型又分增強型和耗盡型兩種。(CMOS是由PMOS和NMOS管組成的互補對稱的積體電路）增強型：UGS=0，不存在導電溝道，ID=0。耗盡型：UGS=0，存在導電溝道，ID=0。*耗盡型GSDGSD增強型N溝道P溝道GSDGSDN溝道P溝道G、S之間加一定電壓才形成導電溝道在製造時就具有原始導電溝道後一頁前一頁返回***1.3.2單相橋式整流電路（常用整流電路）可以得到比較平滑的整流電流。*u為正半周時，a點電位高於b點電位，二極體D1、D3承受正向電壓而導通，D2、D4承受反向電壓而截止。此時電流的路徑為：a→D1→RL→D3→b。*u為負半周時，b點電位高於a點電位，二極體D2、D4承受正向電壓而導通，D1、D3承受反向電壓而截止。此時電流的路徑為：b→D2→RL→D4→a。******1.4濾波電路整流電路可以將交流電轉換為直流電，但脈動較大，在某些應用中如電鍍、蓄電池充電等可直接使用脈動直流電源。但許多電子設備需要平穩的直流電源。這種電源中的整流電路後面還需加濾波電路將交流成分濾除，以得到比較平滑的輸出電壓。濾波通常是利用電容或電感的能量存儲功能來實現的。*1.4.1電容濾波電路**單相橋式整流、電容濾波電路的輸出特性曲線如圖所示。空載時（RL=∞，開路），UDO=1.4U。負載加重時（即RL減小，IDO增大，此時τ=RLC減小），放電速度加快，UDO下降。從圖中可見，電容濾波電路的輸出電壓在負載變化時波動較大，說明它的帶負載能力較差，只適用