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环形聚乙炔分子桥电导特性及影响因素的深度剖析
一、引言
1.1研究背景与意义
在当今科技飞速发展的时代,计算机技术的进步一直是推动各领域变革的重要力量。随着计算机集成度的不断提高,器件尺寸持续减小,量子效应变得愈发显著。这一趋势既带来了前所未有的发展机遇,也引发了诸多挑战。传统的以硅为基础的电子器件在尺寸不断缩小的过程中,逐渐逼近其物理极限和工艺极限。根据Moore定律,以硅基半导体为基础的超大规模集成电路,如1985年达到加工极限(0.5mm),2000年达到物理极限(0.2mm),在这种情况下,想要进一步提高集成度,就必须寻求新的技术路径。
在这样的背景下,分子器件的研究应
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