原创力文档- 1、本文档共61页，其中可免费阅读19页，需付费100金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
摘要
摘要
忆阻器作为新一代人工神经网络中的基本单元,具有结构简单、集成度
高以及能够实现存算一体的特点，为人工神经网络在模式识别、智能机器人、
自动控制、预测估计等领域的应用带来了新的解决方案。而受到阻变层材料、
电极材料和能耗等因素的影响，制备稳定、能耗低、性能良好的忆阻器单元
依然是当前亟待解决的难题。采用低维结构的纳米材料和掺杂改性等策略使
忆阻器在能耗和集成方面展现出更大的发展潜力。因此，本文以《基于ZnO
和黑
文档评论（0）